[发明专利]紫外线发光元件、紫外线发光装置、半导体芯片和透镜的接合方法

权利要求书

1.一种紫外线发光元件，其中，

该紫外线发光元件具有：

半导体芯片，其能发出紫外线；

透镜，其具有紫外线透射性；以及

接合层，其具有紫外线透射性，该接合层使所述半导体芯片的作为主要的光提取面的主面和所述透镜的入射面相接合，

所述接合层是非晶质氟树脂层，

基于所述接合层实现的所述主面与所述入射面之间的粘接强度在按照EIAJ－ED－4703测得的剪切强度下为6N/mm²以上且40N/mm²以下。

2.根据权利要求1所述的紫外线发光元件，其中，

所述入射面大于所述主面，

该紫外线发光元件具有入射面覆盖层，该入射面覆盖层将所述入射面的不与所述主面相对的部分全部覆盖，

所述入射面覆盖层是与所述接合层相连续地形成的非晶质氟树脂层。

3.根据权利要求1或2所述的紫外线发光元件，其中，

所述入射面的不与所述主面相对的部分具有粗糙面，

所述粗糙面的算术平均粗糙度Ra为100nm以上且10μm以下。

4.根据权利要求2所述的紫外线发光元件，其中，

该紫外线发光元件具有立起面覆盖层，该立起面覆盖层覆盖所述透镜的自所述入射面立起的立起面，

所述立起面覆盖层是与所述入射面覆盖层相连续地形成的非晶质氟树脂层。

5.根据权利要求4所述的紫外线发光元件，其中，

被所述立起面覆盖层覆盖的所述立起面具有粗糙面，所述粗糙面的算术平均粗糙度Ra为100nm以上且10μm以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的紫外线发光元件，其中，

该紫外线发光元件具有芯片侧面覆盖层，该芯片侧面覆盖层覆盖所述半导体芯片的侧面，

所述芯片侧面覆盖层是与所述接合层和所述入射面覆盖层相连续地形成的非晶质氟树脂层。

7.根据权利要求6所述的紫外线发光元件，其中，

所述半导体芯片的被所述芯片侧面覆盖层覆盖的侧面具有粗糙面，

所述粗糙面的算术平均粗糙度Ra为100nm以上且10μm以下。

8.根据权利要求2、4、5中任一项所述的紫外线发光元件，其中，

该紫外线发光元件具有透镜覆盖层，该透镜覆盖层覆盖所述透镜的除所述入射面以外的整个面，

所述透镜覆盖层是与所述入射面覆盖层相连续地形成的非晶质氟树脂层。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的紫外线发光元件，其中，

所述透镜是半球透镜，所述入射面是平面。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的紫外线发光元件，其中，

在所述透镜的入射面形成有凹部，

所述半导体芯片以使所述主面朝向所述凹部的底面的方式配置在所述凹部内，

所述树脂层存在于所述凹部与所述半导体芯片的所述主面之间和所述凹部与所述半导体芯片的侧面之间。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的紫外线发光元件，其中，

所述透镜由石英制成或由蓝宝石制成。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的紫外线发光元件，其中，

该紫外线发光元件的发光波长为280nm以下。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的紫外线发光元件，其中，

所述接合层的厚度为0.1μm以上且1.0mm以下。