[发明专利]一种高频变压器分布参数的测量方法

权利要求书

1.一种高频变压器分布参数的测量方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)确定高频变压器等效电路；

2)在低频二次侧开路时，得到阻抗分析仪测量结果励磁阻抗Z_m；

3)在高频二次侧短路时，利用阻抗分析仪测得漏感L_实1，同理一次侧短路时，得漏感L_实2；

4)在高频二次侧开路时，频率f₁时利用阻抗分析仪测得结果为Z₁，在频率f₂时利用阻抗分析仪测得结果为Z₂；

5)在高频一二次侧短路时，利用阻抗分析仪直接测量得到一二次侧绕组间分布电容C_ps。

2.根据权利要求1所述的一种高频变压器分布参数的测量方法，其特征在于：所述步骤2)中，励磁阻抗Z_m表达式为：

Z_m＝R_m//jwL_m

通过求解得到励磁电感L_m和励磁电阻R_m。

3.根据权利要求1所述的一种高频变压器分布参数的测量方法，其特征在于：所述步骤3)中，漏感方程组表达式为：

通过修正计算后分别得到一二次侧漏感L_p和L_s。

4.根据权利要求1所述的一种高频变压器分布参数的测量方法，其特征在于：所述步骤4)中，阻抗方程组表达式为：

其中w＝2πf,L为一次侧绕组自感；

通过计算分别得到一次侧分布电容C_p和绕组电阻R_p，同理可得二次侧分布电容C_s和绕组电阻R_s。

5.根据权利要求1所述的一种高频变压器分布参数的测量方法，其特征在于：包括测量求解高频变压器的励磁电感、励磁电阻、绕组电阻、一二次侧漏感、一二次侧以及绕组间分布电容；

1)确定高频变压器等效模型电路，

变压器一二次侧绕组变比为K；励磁电感为L_m；励磁电阻为R_m；一二次侧漏感分别为L_p和L_s；一二次侧绕组电阻分别为R_p和R_s；一次侧分布电容、二次侧分布电容以及一次侧绕组间分布电容分别为C_p、C_s和C_ps；

2)在低频时将二次侧开路，利用阻抗分析仪连接一次侧两端口，直接测量得到Z_m，其阻抗表达式为：

Z_m＝R_m//jwL_m

通过计算得到励磁电感L_m，励磁电阻R_m；

3)在高频时将二次侧短路，利用阻抗分析仪连接一次侧两端口，直接测量得到漏感L_实1，同理测得一次侧短路时利用阻抗分析仪连接二次侧两端口，直接测量得漏感L_实2，漏感方程组表达式为：

通过修正计算后分别得到一二次侧实际漏感L_p和L_s；

4)在高频f₁时将二次侧开路，利用阻抗分析仪连接一次侧两端口测量得Z₁；仅改变频率，在高频f₂时测得Z₂；其阻抗方程组表达式为：

其中w＝2πf,L为一次侧绕组自感；

通过计算分别得到一次侧分布电容C_p和绕组电阻R_p，同理可得二次侧分布电容C_s和绕组电阻R_s；

5)在高频时将高频变压器一二次侧同时短路，并分别引线至阻抗分析仪，直接测得一二次侧绕组间分布电容为C_ps。