[发明专利]发光器件及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201910197672.9 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN109904347B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 高昊;王涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,所述发光器件包括:
衬底基板;
设置在所述衬底基板上的发光单元;以及,
设置在所述发光单元远离所述衬底基板的一侧的薄膜封装结构,所述薄膜封装结构包括至少一个封装膜层,所述至少一个封装膜层中的目标封装膜层具有同层设置且相互接触的第一封装部和第二封装部,所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影,所述第一封装部的折射率小于所述第二封装部的折射率,
其中,所述第一封装部的边界与所述发光单元的边界之间的水平距离的范围为2微米~6微米,所述水平距离为所述第一封装部的边界与所述发光单元的边界在平行于所述衬底基板的板面的方向上的最小距离。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述目标封装膜层为所述至少一个封装膜层中,距离所述发光单元最近的封装膜层。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其特征在于,所述目标封装膜层为无机层。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第二封装部的折射率与所述第一封装部的折射率的差值的范围为0.1~0.5。
5.根据权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述第一封装部的折射率的范围为1.45~1.55,所述第二封装部的折射率的范围为1.65~1.85。
6.根据权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述第一封装部的材料包括氧化硅,所述第二封装部的材料包括氮氧化硅。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述薄膜封装结构包括沿远离所述发光单元的方向交替叠加的无机层和有机层,所述薄膜封装结构中距离所述发光单元最近的封装膜层和距离所述发光单元最远的封装膜层均为无机层,所述目标封装膜层为距离所述发光单元最近的无机层。
8.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述衬底基板具有封装区域,所述发光单元在所述衬底基板上的正投影位于所述封装区域内,所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影,所述第二封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述封装区域中,除所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影所在区域之外的区域。
9.根据权利要求1至7任一项所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括:围绕所述发光单元设置的反射层,所述反射层的反射面与所述衬底基板的板面之间存在夹角。
10.根据权利要求9所述的发光器件,其特征在于,所述衬底基板具有封装区域,所述发光单元在所述衬底基板上的正投影和所述反射层在所述衬底基板上的正投影均位于所述封装区域内,所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述发光单元在所述衬底基板上的正投影,且覆盖所述反射层在所述衬底基板上的正投影,所述第二封装部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述封装区域中,除所述第一封装部在所述衬底基板上的正投影所在区域之外的区域。
11.根据权利要求10所述的发光器件,其特征在于,所述第一封装部的边界与所述反射层的反射面的边界之间的水平距离的范围为1微米~4微米,所述水平距离为所述第一封装部的边界与所述反射层的反射面的边界在平行于所述衬底基板的板面的方向上的最小距离。
12.根据权利要求9所述的发光器件,其特征在于,所述发光单元包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠加的第一电极、发光层和第二电极,所述反射层围绕所述第一电极设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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