[发明专利]一种电子气体尾气的回收方法及装置

权利要求书

1.一种电子气体尾气的回收方法，其特征是包括以下步骤：

(1)首先将电子气体尾气送入吸收塔下部，吸收剂由塔顶进入，通过吸收塔的作用，将电子气体尾气中大部分有机组分吸收到塔底，并作为原料输送至脱轻塔，未被吸收的稀有气体夹带少量轻杂质从塔顶采出；

(2)吸收塔塔底物料在脱轻塔中进行分离，塔顶采出轻组分，塔釜一部分作为吸收剂返回吸收塔顶部，一部分作为原料输送至脱重塔；

(3)在脱重塔的作用下，脱重塔塔顶采出高纯度的电子气体产品，塔釜物料进入吸收剂回收塔；

(4)吸收塔顶部含杂质的稀有气体先进入预处理塔脱除部分重组分，预处理塔塔顶采出含杂质的稀有气体依次进人一级冷阱、二级冷阱，在冷阱的作用下，稀有气体和杂质进一步分离，经冷阱冷凝后的冷凝液返回预处理塔，未经冷凝的气体即为高纯度的稀有气体；

(5)脱重塔底部物料进入吸收剂回收塔后，塔顶采出轻杂质，塔底采出重杂质，底部侧线采出吸收剂返回吸收塔顶部。

2.如权利要求1所述的方法，其特征是所述的电子气体尾气包括：氟系电子气体、硅系电子气体、硼系电子气体或锗系电子气体一种或多种。

3.如权利要求2所述的方法，其特征是氟系电子气体包括F₂、COF₂、ClF₃、XeF₃、WF₃、MoF₆、TeF₆、PF₃、AsF₃、AsF₅、CH₃F、CH₂F₂、CHF₃、CH₃F、C₂F₆、c-C₄F₈或C₅F₈的一种或多种。

4.如权利要求2所述的方法，其特征是硅系电子气体如SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、SiH₂Cl₂、SiHCl₃或SiCl₄的一种或多种。

5.如权利要求2所述的方法，其特征是硼系电子气体如BF₃、BCl₃、BBr₃、B₂H₆、B(CH₃)₃或B(C₂H₅)₃的一种或多种。

6.如权利要求2所述的方法，其特征是锗系电子气体如GeH₄、Ge₂H₆、GeCl₄、GeF₄、Ge(CH₃)₄或BH(CH₃)₃的一种或多种。

7.如权利要求1所述的方法，其特征是吸收剂与电子气体尾气质量比为1-5:1。

8.如权利要求1所述的方法，其特征是吸收剂二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳、乙醇或乙醚中的一种或多种组合。

9.如权利要求1所述的方法，一级冷阱冷凝温度为-20℃至-100℃；二级冷阱冷凝温度为-100℃至-200℃。

10.实现权利要求1所述的方法的装置，其特征是包括吸收塔T101，脱轻塔T102、脱重塔T103、预处理塔T104、吸收剂回收塔T105，一级冷阱L101和二级冷阱L102；吸收塔T101上部设有吸收剂进口，下部设有电子气体尾气进口，顶部设有塔顶采出口，底部设有塔底物料采出口，其中吸收剂进口连接脱轻塔T102底部和吸收剂回收塔T105下部，塔顶采出口连接预处理塔T104下部，塔底物料采出口连接脱轻塔T102中部；脱轻塔T102设有物料进口、塔顶采出口、塔底采出口，其中物料进口连接吸收塔T101，塔顶采出口采出轻组分，塔底采出口一路连接吸收塔T101、一路连接脱重塔T103；脱重塔T103设有物料进口、塔顶采出口、塔底采出口，其中物料进口连接脱轻塔T102，塔顶采出口采出高纯度电子气体产品，塔底采出口连接吸收剂回收塔T105；吸收剂回收塔T105设有物料进口、塔顶采出口、塔底采出口和下部侧线采出口，其中塔顶采出口采出轻杂质，下部侧线采出口连接吸收塔T101顶部，塔底采出口采出重组分；预处理塔T104设有连接吸收塔T101顶部的下部物料进口，连接一级冷阱L101、二级冷阱L102底部的中部物料进口，塔顶采出口及塔底采出口，塔顶采出口连接一级冷阱L101底部，一级冷阱L101设有物料进口、顶部采出口、底部采出口，其中物料进口连接预处理塔T104顶部，顶部采出口连接二级冷阱L102底部，底部采出口连接预处理塔T104中部；二级冷阱L102设有物料进口、顶部采出口、底部采出口，其中物料进口连接一级冷阱L101，底部物料出口连接预处理塔T104中部物料进口，顶部采出口采出高纯稀有气体。