[发明专利]具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器

权利要求书

1.一种具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括位于半导体衬底上的多个像素单元构成的像素阵列，每个所述像素单元包括：

一个或多个感光器件，所述感光器件之间设置有第一隔离结构；

多个晶体管，所述多个晶体管之间分别设置有第二隔离结构；

其中，所述图像传感器的所述第一隔离结构和所述第二隔离结构相同或不同；所述第一隔离结构和所述第二隔离结构不同时，所述第二隔离结构为STI隔离或部分STI隔离，或者所述第二隔离结构为LOCOS隔离或部分LOCOS隔离。

2.根据权利要求1所述的具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，所述多个感光器件之间及所述多个晶体管之间包括第三隔离结构，所述第三隔离结构为浅层注入隔离。

3.根据权利要求1所述的具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构为离子注入方式隔离。

4.根据权利要求1所述的具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，所述第一隔离结构为离子注入方式隔离，所述第二隔离结构为STI隔离。

5.根据权利要求1所述的具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，每个所述像素单元包括浮动扩散点，所述多个晶体管包括源极跟随晶体管，所述源极跟随晶体管与所述浮动扩散点之间采用STI隔离，所述像素单元的感光器件之间以及其他多个晶体管之间采用离子注入方式隔离。

6.根据权利要求1所述的具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，所述第一隔离结构为离子注入方式隔离，所述第二隔离结构为LOCOS隔离。

7.根据权利要求1所述的具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，每个所述像素单元包括浮动扩散点，所述多个晶体管包括源极跟随晶体管，所述源极跟随晶体管与所述浮动扩散点之间采用LOCOS隔离，所述像素单元的感光器件之间以及其他多个晶体管之间采用离子注入方式隔离。

8.根据权利要求1所述的具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括按行和列布局的多个像素单元，所述多个像素单元之间为离子注入方式隔离，STI隔离或LOCOS隔离。

9.根据权利要求1所述的具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，包括所述多个感光器件构成的感光像素单元具有共享结构。

10.根据权利要求1所述的具有降低暗电流的隔离结构的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器为FSI图像传感器或BSI图像传感器。