[发明专利]钙钛矿太阳能电池的薄膜封装方法和相应的电池器件在审

专利信息
申请号: 201910230970.3 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN110010767A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 陈炜;方少英 申请(专利权)人: 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 徐松
地址: 436044 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 太阳能电池器件 氧化物薄膜层 复合封装层 太阳能电池 薄膜层 薄膜封装 电池器件 太阳能电池技术 叠加设置 方向设置 技术效果 正整数
【权利要求书】:

1.一种基于薄膜封装的钙钛矿太阳能电池器件,其特征在于,所述基于薄膜封装的钙钛矿太阳能电池器件包括:

钙钛矿太阳能电池器件;

N层复合封装层,每层所述复合封装层相互叠加设置在所述钙钛矿太阳能电池器件上,每层所述复合封装层包括一层氧化物薄膜层、一层派拉伦薄膜层,所述氧化物薄膜层、所述派拉伦薄膜层依次沿着远离所述钙钛矿太阳能电池器件的方向设置,所述氧化物薄膜层位于所述钙钛矿太阳能电池器件和所述派拉伦薄膜层之间;其中,所述N是正整数。

2.如权利要求1所述基于薄膜封装的钙钛矿太阳能电池器件,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池器件包括:

玻璃衬底;

透明导电电极,所述透明导电电极设置在所述玻璃衬底上;

空穴传输层,所述空穴传输层设置在所述透明导电电极上,所述透明导电电极位于所述玻璃衬底和所述空穴传输层之间;

钙钛矿薄膜,所述钙钛矿薄膜设置在所述空穴传输层上,所述空穴传输层位于所述钙钛矿薄膜和所述透明导电电极之间;

电子传输层,所述电子传输层设置在所述钙钛矿薄膜上,所述钙钛矿薄膜位于所述空穴传输层和所述电子传输层之间;

电极层,所述电极层设置在所述电子传输层上,所述电极层位于所述电子传输层和所述氧化物薄膜层之间。

3.如权利要求1所述基于薄膜封装的钙钛矿太阳能电池器件,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池器件包括:

玻璃衬底;

透明导电电极,所述透明导电电极设置在所述玻璃衬底上;

电子传输层,所述电子传输层设置在所述透明导电电极上,所述透明导电电极位于所述玻璃衬底和所述电子传输层之间;

钙钛矿薄膜,所述钙钛矿薄膜设置在所述电子传输层上,所述电子传输层位于所述钙钛矿薄膜和所述透明导电电极之间;

空穴传输层,所述空穴传输层设置在所述钙钛矿薄膜上,所述钙钛矿薄膜位于所述电子传输层和所述电子传输层之间;

电极层,所述电极层设置在所述空穴传输层上,所述电极层位于所述空穴传输层和所述氧化物薄膜层之间。

4.如权利要求1或2所述基于薄膜封装的钙钛矿太阳能电池器件,其特征在于:

所述氧化物薄膜层是氧化铝致密层。

5.如权利要求4所述基于薄膜封装的钙钛矿太阳能电池器件,其特征在于:

所述派拉伦薄膜层是派拉伦C致密层;

所述N等于3。

6.一种用于钙钛矿太阳能电池的薄膜封装方法,其特征在于,所述方法包括:

获得钙钛矿太阳能电池器件;

对所述钙钛矿太阳能电池器件进行原子层沉积,以在所述钙钛矿太阳能电池器件上制备氧化物薄膜层;

对制备的所述氧化物薄膜层进行真空涂覆,以在所述氧化物薄膜层上制备派拉伦薄膜层,来对所述钙钛矿太阳能电池进行封装。

7.如权利要求6所述用于钙钛矿太阳能电池的薄膜封装方法,其特征在于,所述对所述钙钛矿太阳能电池器件进行原子层沉积,以在所述钙钛矿太阳能电池器件上制备氧化物薄膜层包括:

所述氧化物薄膜层是氧化铝致密层;

将Al(CH3)3和H2O作为铝和氧的前驱体,以高纯氮气作为载气和清洗气体,来制备所述氧化铝致密层;其中,所述高纯氮气的纯度是99.999%。

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