[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201910245219.0 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN111755466B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 杨蕙菁;张道生;李淂裕 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N25/76 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
一种电子装置,包括像素传感电路。像素传感电路包括光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及电容。光电二极管具有第一端及第二端,第一晶体管具有控制端、第一端及第二端,其中第一晶体管的控制端接收重置信号,第一晶体管的第一端耦接于光电二极管的第二端。第二晶体管具有控制端、第一端及第二端,其中第二晶体管的控制端耦接于光电二极管的第二端。第三晶体管具有控制端、第一端及第二端,其中第三晶体管的控制端接收选行信号,第三晶体管的第一端耦接于第二晶体管的第二端。电容耦接于光电二极管的第二端及第一晶体管的第二端。
技术领域
本发明是有关于一种电子装置,特别是一种侦测影像的光感测元件的电子装置。
背景技术
主动式像素传感器(Active Pixel Sensor)是一种具有光电二极管及主动式放大器的影像传感器,其已广泛应用于影像感测上,例如数字相机、数字扫描和指纹辨识。主动式像素传感器使用光电二极管侦测光强度以转换为相应大小的电流,在被侦测光线光强度微弱的情况下,在相关技术中会增加光电二极管的面积以增加光电二极管的电流,然而增加光电二极管的面积会同时增加光电二极管的寄生电容而使得光电二极管电流产生的电压变化减低,无法有效侦测光线并提供清楚的影像质量。
为了加强影像质量,需要一种可在被侦测光线光强度微弱的情况下侦测影像的主动式像素传感器。
发明内容
本发明的实施例提供一种电子装置,包括像素传感电路。像素传感电路包括光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及电容。光电二极管具有第一端及第二端,第一晶体管具有控制端、第一端及第二端,其中第一晶体管的控制端接收重置信号,第一晶体管的第一端耦接于光电二极管的第二端。第二晶体管具有控制端、第一端及第二端,其中第二晶体管的控制端耦接于光电二极管的第二端。第三晶体管具有控制端、第一端及第二端,其中第三晶体管的控制端接收选行信号,第三晶体管的第一端耦接于第二晶体管的第二端。电容耦接于光电二极管的第二端及第一晶体管的第二端。
附图说明
图1是本发明实施例的电子装置的示意图。
图2是图1电子装置的信号控制方式的时序图。
图3是图1电子装置的另一信号控制方式的时序图。
图4是本发明实施例的另一电子装置的示意图。
图5是图4电子装置的控制方式的时序图。
图6是图4电子装置的另一控制方式的时序图。
图7是本发明实施例的电子装置的示意图。
附图标记说明:1、4、7-电子装置;10、40-像素传感电路;12、42-重置驱动器;14-扫描驱动器;16-数据驱动器;70-像素阵列;Cd-寄生电容;Cp-电容;D1-光电二极管;ID1、Id-电流;M1、M1’-第一晶体管;M2-第二晶体管;M3-第三晶体管;Srst、Srst[n]、Srst[n+1]-重置信号;Srow、Srow[n]、Srow[n+1]-选行信号;Scol-输出信号;Treset-重置期间;Tscan-扫描期间;Tsense-感测期间;VA-电压;V1、V2、V3-第一电压、第二电压、第三电压。
具体实施方式
图1是本发明实施例的电子装置1的示意图。电子装置1可应用于互补金属氧化物半导体(CMOS)影像传感器或指纹传感器,且包括像素传感电路10、重置驱动器12、扫描驱动器14及数据驱动器16。重置驱动器12、扫描驱动器14及数据驱动器16分别耦接于像素传感电路10以控制像素传感电路10在重置模式、感测模式或扫描模式下运作。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的