[发明专利]三维存储器及其制备方法、及电子设备

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供晶圆结构，其中，所述晶圆结构具有沟道孔，所述沟道孔内形成有外延结构；

在所述外延结构上形成疏水涂层；

在所述沟道孔内形成电荷存储层，所述疏水涂层使所述电荷存储层形成在所述沟道孔的侧壁；

去除所述疏水涂层，以使所述沟道孔露出所述外延结构；

在所述电荷存储层与所述外延结构上形成沟道层。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，“在所述外延结构上形成疏水涂层”包括：

在所述沟道孔的侧壁以及所述外延结构上形成疏水涂层，去除所述沟道孔侧壁的所述疏水涂层，以使所述疏水涂层形成于所述外延结构上。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，“去除所述沟道孔侧壁的所述疏水涂层”包括：

在所述疏水涂层上添加去除液，所述去除液选择性地与所述沟道孔侧壁的材料反应，以使所述沟道孔侧壁的所述疏水涂层去除。

4.根据权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，“在所述沟道孔的侧壁以及所述外延结构上形成疏水涂层”包括：

将所述晶圆结构浸入疏水涂层前驱体溶液，干燥所述晶圆结构上的所述疏水涂层前驱体溶液以形成位于所述沟道孔的侧壁以及所述外延结构上的所述疏水涂层。

5.根据权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，“在所述沟道孔的侧壁以及所述外延结构上形成疏水涂层”还包括：

在所述外延结构的表面上涂覆疏水涂层前驱体溶液，并干燥所述疏水涂层前驱体溶液以形成位于所述沟道孔的侧壁以及所述外延结构上的所述疏水涂层。

6.根据权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述疏水涂层前驱体溶液的溶质包括三氯取代多烷基硅烷，溶剂包括有机溶剂。

7.根据权利要求2所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述疏水涂层前驱体溶液的溶质包括疏水性硅烷偶联剂，溶剂包括有机溶剂。

8.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述溶质在所述溶剂内的反应时间为5分钟-1小时。

9.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述溶质在所述溶剂内的反应温度为30-80度。

10.根据权利要求7所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述疏水性硅烷偶联剂包括氟基、多烷基或苯基代硅烷、五氟乙基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲氧基硅烷、以及苯基三乙基硅烷中的一种或多种。

11.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，去除所述疏水涂层之后且在形成所述沟道层之前，所述方法还包括：

在所述电荷存储层与所述外延结构上形成保护层；

刻蚀所述外延结构上的所述保护层，以使所述沟道孔露出所述外延结构；

去除所述保护层。

12.根据权利要求1所述的三维存储器的制备方法，其特征在于，所述提供晶圆结构包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成堆叠结构；

在所述堆叠结构上形成所述沟道孔，所述沟道孔使得所述衬底露出；

在所述沟道孔内填充所述外延结构。