[发明专利]像素结构及其制作方法和显示面板

权利要求书

1.一种像素结构，其特征在于，包括：

基底；

钝化层，设置在所述基底上；

薄膜晶体管的漏极，设置在所述基底和所述钝化层之间；以及

像素电极，设置在所述钝化层的远离所述基底的一侧，且所述像素电极为连续不间断的面状电极；

其中，所述像素电极包括第一凹陷部、多个第二凹陷部和多个第三凹陷部，所述第一凹陷部贯穿所述钝化层并与所述薄膜晶体管的所述漏极相接触以形成电连接，所述多个第二凹陷部和所述多个第三凹陷部位于所述第一凹陷部的一侧或分别位于所述第一凹陷部的相对两侧；所述第一凹陷部具有第一深度，所述多个第二凹陷部具有相同的第二深度，所述多个第三凹陷部具有相同的第三深度，所述第一深度大于所述第二深度和所述第三深度，且所述第二深度与所述第三深度不同。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极包括主像素电极区和次像素电极区，所述多个第二凹陷部位于所述主像素电极区且具有多个不同的取向方向，所述多个第三凹陷部位于所述次像素电极区且具有多个不同的取向方向，且所述第二深度小于所述第三深度。

3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述多个第二凹陷部具有四个不同的取向方向，所述多个第三凹陷部具有四个不同的取向方向，且所述主像素电极区的面积小于所述次像素电极区的面积。

4.一种显示面板，其特征在于，包括：

相对设置的第一基板和第二基板；

位于所述第一基板和所述第二基板之间的显示介质层；

其中，所述第一基板包括若干像素结构，每个所述像素结构包括：

基底；

钝化层，设置在所述基底上；

薄膜晶体管的漏极，设置在所述基底和所述钝化层之间；

像素电极，设置在所述钝化层的远离所述基底的一侧，且所述像素电极为连续不间断的面状电极；

其中，所述像素电极包括第一凹陷部、多个第二凹陷部和多个第三凹陷部，所述第一凹陷部贯穿所述钝化层并与所述薄膜晶体管的所述漏极相接触以形成电连接，所述多个第二凹陷部和所述多个第三凹陷部位于所述第一凹陷部的一侧或分别位于所述第一凹陷部的相对两侧；所述第一凹陷部具有第一深度，所述多个第二凹陷部具有相同的第二深度，所述多个第三凹陷部具有相同的第三深度，所述第一深度大于所述第二深度和所述第三深度，且所述第二深度与所述第三深度不同。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极包括主像素电极区和次像素电极区，所述多个第二凹陷部位于所述主像素电极区且具有多个不同的取向方向，所述多个第三凹陷部位于所述次像素电极区且具有多个不同的取向方向，且所述第二深度小于所述第三深度。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述多个第二凹陷部具有四个不同的取向方向，所述多个第三凹陷部具有四个不同的取向方向，且所述主像素电极区的面积小于所述次像素电极区的面积。

7.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，其中所述基底上依次形成有薄膜晶体管的漏极和钝化材料层；

利用多阶调掩膜板进行光刻工艺以图案化所述钝化材料层得到钝化层，其中所述多阶调掩膜板包括具有不同透明度的第一曝光区域、多个第二曝光区域和多个第三曝光区域，相应地所述钝化层形成有对应所述第一曝光区域的过孔、对应所述多个第二曝光区域的多个第一沟槽和对应所述多个第三曝光区域的多个第二沟槽；以及

在所述钝化层上形成连续不间断的面状电极作为像素电极，其中所述像素电极包括第一凹陷部、多个第二凹陷部和多个第三凹陷部，所述第一凹陷部位于所述过孔内与所述薄膜晶体管的所述漏极相接触以形成电连接，所述多个第二凹陷部分别位于所述多个第一沟槽内，所述多个第三凹陷部分别位于所述多个第二沟槽内，所述第一凹陷部具有第一深度，所述多个第二凹陷部具有相同的第二深度，所述多个第三凹陷部具有相同的第三深度，所述第一深度大于所述第二深度和所述第三深度，且所述第二深度与所述第三深度不同。