[发明专利]像素结构及其制作方法和显示面板

说明书

本申请提供一种像素结构及其制作方法以及显示面板。所述像素结构包括：基底、设置在基底上的钝化层、设置在基底和钝化层之间的薄膜晶体管的漏极、以及设置在钝化层的远离基底的一侧的像素电极。其中，像素电极为连续不间断的面状电极。像素电极包括第一凹陷部、多个第二凹陷部和多个第三凹陷部。第一凹陷部贯穿钝化层并与薄膜晶体管的漏极相接触以形成电连接。多个第二凹陷部和多个第三凹陷部位于第一凹陷部的一侧或者分别位于第一凹陷部的相对两侧；第一凹陷部的深度大于第二凹陷部的深度和第三凹陷部的深度，且第二凹陷部的深度与第三凹陷部的深度不同。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构、一种像素结构的制作方法和一种显示面板。

背景技术

主动式薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。就目前主流市场上的TFT-LCD显示面板而言，可分为三种类型，分别是：扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型、平面转换(In-PlaneSwitching，IPS)型和垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中VA型液晶显示器相对其他类型的液晶显示器具有极高的对比度，一般可达到4000-8000，在大尺寸显示如电视等方面具有非常广的应用。

VA型液晶显示面板之所以具有极高的对比度是因为在不加电的暗态时，液晶分子垂直于基板表面排列，不产生任何相位差，漏光极低。为了使VA型液晶显示面板中的液晶分子能够垂直于基板表面排列，需要对液晶分子进行垂直配向处理。聚合物稳定垂直配向(polymer-stabilized verticalalignment，PSVA)广视角技术就是对液晶层进行配向的一种方式，其具有较快的响应时间及较高的对比度。

一般PSVA型液晶显示面板是在阵列基板上涂布一层保护沟道的钝化层，然后将沉积在钝化层表面的像素电极做图案化(pattern)处理，其产生的倾斜电场可以诱导不同区域中的液晶分子倒向不同的方向。但是由于ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)像素电极图案被处理成具有像素电极分支及狭缝的结构，导致分支处和狭缝处与彩膜(CF，ColorFilter)基板侧ITO公共电极之间电场不同，易造成亮度分布不均匀、穿透率损失等现象。

发明内容

本申请提供一种有助于提升光穿透率和均一性以及提升可视角度的像素结构、像素结构的制作方法和显示面板。

具体地，本申请实施例提供的一种像素结构，包括：基底；钝化层，设置在所述基底上；薄膜晶体管的漏极，设置在所述基底和所述钝化层之间；以及像素电极，设置在所述钝化层的远离所述基底的一侧，且所述像素电极为连续不间断的面状电极。其中，所述像素电极包括第一凹陷部、多个第二凹陷部和多个第三凹陷部，所述第一凹陷部贯穿所述钝化层并与所述薄膜晶体管的所述漏极相接触以形成电连接，所述多个第二凹陷部和所述多个第三凹陷部位于所述第一凹陷部的一侧或分别位于所述第一凹陷部的相对两侧；所述第一凹陷部具有第一深度，所述多个第二凹陷部具有相同的第二深度，所述多个第三凹陷部具有相同的第三深度，所述第一深度大于所述第二深度和所述第三深度，且所述第二深度与所述第三深度不同。

在本申请一实施例中，所述像素电极包括主像素电极区和次像素电极区，所述多个第二凹陷部位于所述主像素电极区且具有多个不同的取向方向，所述多个第三凹陷部位于所述次像素电极区且具有多个不同的取向方向，且所述第二深度小于所述第三深度。

在本申请一实施例中，所述多个第二凹陷部具有四个不同的取向方向，所述多个第三凹陷部具有四个不同的取向方向，且所述主像素电极区的面积小于所述次像素电极区的面积。