[发明专利]太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，其中，本发明的太阳能电池的制备方法，包括：选择相应的衬底；根据需要制备的电池类型在所述衬底上开孔或不开孔；在衬底表面制绒，并进行扩散处理形成相应的扩散层；根据所述电池类型进行进一步制备，根据所述电池类型进行进一步制备；根据所述电池类型在制备完成的太阳能电池的至少一个受光面上覆盖一透明导电层。本发明可以有效提高光电转换效率，且简单易行，便于工业化生产。

技术领域

本发明涉及太阳能电池，以及太阳能电池的制备方法。

背景技术

自从第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来，硅太阳能电池得到了广泛的研究发展以及实际应用，特别是晶体硅太阳能电池，随着科学技术的不断发展，晶体硅太阳能电池的光电转换效率不断提升，生产成本也在持续下降。目前，晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的百分之八十以上，晶体硅太阳能电池片的光电转换效率目前也已突破22％，与传统火力发电的成本差也在不断缩小，在未来几年有望与火力发电的成本持平。

晶体硅太阳能电池作为一种清洁无污染能源在改变能源结构、减少环境污染、实现可持续发展等方面的重要作用日益显现。按基材的掺杂类型不同，可以将晶体硅太阳能电池分为N型晶体硅太阳能和P型晶体硅太阳能电池，如何改变晶体硅太阳能电池的结构，以进一步提高其光电转换效率，这是业界广泛关注的问题。

发明内容

为了解决现有技术中太阳能电池的光电转换效率低的技术问题，提出了一种太阳能电池及其制备方法。

其中，本发明的太阳能电池的制备方法，包括步骤：选择相应的衬底；根据需要制备的电池类型在所述衬底上开孔或不开孔；在衬底表面制绒，并进行扩散处理形成相应的扩散层；根据所述电池类型进行进一步制备；根据所述电池类型在制备完成的太阳能电池的至少一个受光面上覆盖一透明导电层。

优选的，所述至少一个透明导电层的外表面制备有凸出于所述透明导电层的外层金属电极。

具体的，所述太阳能电池为单多晶P型单面PERC电池、单多晶P型双面PERC电池、单多晶N型双面PERC电池、单多晶P型TOPcon电池、单多晶N型双面TOPcon电池、MWT单多晶P型PERC电池、MWT单多晶P型TOPcon电池、MWT单多晶N型TOPcon电池当中的至少一种。

当所述太阳能电池为单多晶P型单面PERC电池时，覆盖所述透明导电层之前还包括步骤：选择P型单多晶硅片作为太阳能电池的衬底，并在其表面进行制绒；在所述太阳能电池的上表面进行磷扩散形成N型扩散层；对所述太阳能电池进行湿法刻蚀去掉所述P型单多晶硅片下表面的磷扩散区域和上表面的磷硅玻璃部分；在所述太阳能电池上表面进行氧化退火在所述N型扩散层上形成氧化层；在所述太阳能电池下表面镀钝化层；在所述太阳能电池下表面镀氮化硅层；在所述太阳能电池下表面使用激光进行开槽露出所述P型单多晶硅片；在所述太阳能电池下表面印刷电场层使所述电场层通过所述槽抵触所述P型单多晶硅片；在所述太阳能电池上、下表面制备所述金属电极，并进行烧结；所述太阳能电池的上表面覆盖所述透明导电层。

当所述太阳能电池为单多晶P型双面PERC电池时，覆盖所述透明导电层之前还包括步骤：选择P型单多晶硅片作为太阳能电池的衬底，并在其表面进行制绒；在所述太阳能电池的上表面进行磷扩散形成N型扩散层；对所述太阳能电池进行湿法刻蚀去掉所述P型单多晶硅片下表面的磷扩散区域和上表面的磷硅玻璃部分；在所述太阳能电池上表面进行氧化退火在所述N型扩散层上形成氧化层；在所述太阳能电池下表面镀钝化层；在所述太阳能电池下表面镀氮化硅层，并使用激光进行开槽露出所述P型单多晶硅片，然后在所述太阳能电池的上、下表面制备金属电极并进行烧结，或者直接在所述太阳能电池下表面使用激光进行开槽，然后在所述太阳能电池的上、下表面制备金属电极进行烧结；所述太阳能电池上表面覆盖所述透明导电层，所述太阳能电池下表面的钝化层上未镀氮化硅层时覆盖所述透明导电层。