[发明专利]一种简单制备高比表面积MCM-41的方法在审

专利信息
申请号: 201910295955.7 申请日: 2019-04-12
公开(公告)号: CN109835916A 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 卢美贞;彭礼波;计建炳;刘学军 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C01B39/48 分类号: C01B39/48;C01B37/02;C01B37/06
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 周红芳
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 制备 去离子水洗涤 制备工艺过程 水热合成法 热处理 保温搅拌 高温晶化 缓慢滴加 介孔材料 晶化过程 完全溶解 模板剂 有机碱 滴加 硅源 水中 离子 耗时 能耗 老化
【权利要求书】:

1.一种简单制备高比表面积MCM-41的方法,其特征在于将模板剂和有机碱在30~40℃下完全溶解在去离子水中,再逐滴缓慢滴加硅源,滴加完毕后继续保温搅拌反应1~3 h,然后在室温下静置60~80 h,静置结束后,过滤分离出固体,固体经去离子水洗涤、干燥后,置于500~600℃下热处理7~9h,即制得高比表面积的MCM-41。

2.如权利要求1所述的一种简单制备高比表面积MCM-41的方法,其特征在于所述模板剂为十六烷基三甲基溴化铵,所述有机碱为四甲基氢氧化铵。

3. 如权利要求1所述的一种简单制备高比表面积MCM-41的方法,其特征在于所述硅源为正硅酸乙酯,所述硅源、模板剂、有机碱和去离子水的摩尔比为1 :0.2~0.4 :0.1~0.3 :30~50,优选为1 :0.25 :0.2 :40。

4. 如权利要求1所述的一种简单制备高比表面积MCM-41的方法,其特征在于所述高比表面积MCM-41的制备过程中,还添加有铝源,具体过程步骤为:将模板剂和有机碱在30~40℃下完全溶解在去离子水中,再逐滴缓慢滴加铝源和硅源,滴加完毕后继续保温搅拌反应1~3 h,然后在室温下静置60~80 h,静置结束后,过滤分离出固体,固体经去离子水洗涤、干燥后,置于500~600℃下热处理7~9h,最终得到高比表面积的Al-MCM-41。

5.如权利要求4所述的一种简单制备高比表面积MCM-41的方法,其特征在于所述铝源为异丙醇铝,所述硅源为正硅酸乙酯,所述铝源与硅源的摩尔比为1~90 : 1。

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