[发明专利]一种简单制备高比表面积MCM-41的方法在审
申请号: | 201910295955.7 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN109835916A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 卢美贞;彭礼波;计建炳;刘学军 | 申请(专利权)人: | 浙江工业大学 |
主分类号: | C01B39/48 | 分类号: | C01B39/48;C01B37/02;C01B37/06 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人: | 周红芳 |
地址: | 310014 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 去离子水洗涤 制备工艺过程 水热合成法 热处理 保温搅拌 高温晶化 缓慢滴加 介孔材料 晶化过程 完全溶解 模板剂 有机碱 滴加 硅源 水中 离子 耗时 能耗 老化 | ||
1.一种简单制备高比表面积MCM-41的方法,其特征在于将模板剂和有机碱在30~40℃下完全溶解在去离子水中,再逐滴缓慢滴加硅源,滴加完毕后继续保温搅拌反应1~3 h,然后在室温下静置60~80 h,静置结束后,过滤分离出固体,固体经去离子水洗涤、干燥后,置于500~600℃下热处理7~9h,即制得高比表面积的MCM-41。
2.如权利要求1所述的一种简单制备高比表面积MCM-41的方法,其特征在于所述模板剂为十六烷基三甲基溴化铵,所述有机碱为四甲基氢氧化铵。
3. 如权利要求1所述的一种简单制备高比表面积MCM-41的方法,其特征在于所述硅源为正硅酸乙酯,所述硅源、模板剂、有机碱和去离子水的摩尔比为1 :0.2~0.4 :0.1~0.3 :30~50,优选为1 :0.25 :0.2 :40。
4. 如权利要求1所述的一种简单制备高比表面积MCM-41的方法,其特征在于所述高比表面积MCM-41的制备过程中,还添加有铝源,具体过程步骤为:将模板剂和有机碱在30~40℃下完全溶解在去离子水中,再逐滴缓慢滴加铝源和硅源,滴加完毕后继续保温搅拌反应1~3 h,然后在室温下静置60~80 h,静置结束后,过滤分离出固体,固体经去离子水洗涤、干燥后,置于500~600℃下热处理7~9h,最终得到高比表面积的Al-MCM-41。
5.如权利要求4所述的一种简单制备高比表面积MCM-41的方法,其特征在于所述铝源为异丙醇铝,所述硅源为正硅酸乙酯,所述铝源与硅源的摩尔比为1~90 : 1。
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