[发明专利]一种片上匹配自修复系统

权利要求书

1.一种片上匹配自修复系统，其特征在于，该系统包括片上信号收发单元和两个片上可调匹配网络单元，所述的片上信号收发单元包括片上信号发射链路单元和片上信号接收链路单元，片上信号发射链路单元的输出端连接第一片上可调匹配网络单元，片上信号接收链路单元的输入端连接第二片上可调匹配网络单元二，第一片上可调匹配网络单元和第二片上可调匹配网络单元均包括电感电容匹配网络、第一电压峰值检测单元和第二电压峰值检测单元，可根据数字收发机的需求设计匹配网络的可调节范围，所述的第一电压峰值检测单元和第二电压峰值检测单元用于检测匹配网络中的检测点电压峰值，通过比较两点的差异来决定匹配自修复方式；

所述的片上信号发射链路单元包括集成多音信号生成的数字信号处理系统的数/模转换模块、滤波器、可变增益放大器、上变频混频器和功率放大器，其中，所述的数/模转换模块的第一个信号输入端接入数字域多音信号，该信号由数字信号处理系统产生，数/模转换模块的输出端与所述的滤波器的输入端相连，滤波器的输出端与所述的可变增益放大器的输入端相连，可变增益放大器的输出端与所述的上变频混频器的第一信号输入端相连，上变频混频器的输出端与所述的功率放大器的输入端相连，功率放大器的输出端与所述的第一片上可调匹配网络单元的输入端相连，第一片上可调匹配网络单元的输出端与外部天线相连，由外部天线向外发射信号；其中，数/模转换模块的第二个信号输入端接入DAC时钟信号，所述的DAC时钟信号由外部电路信号控制，上变频混频器的第二个信号输入端接入发射芯片的LO信号，所述的LO信号由外部电路给出；

所述的片上信号接收链路单元包括低噪声放大器、下变频混频器、可变增益放大器、滤波器和集成乘法器和FFT的模/数转换模块，其中，所述的低噪声放大器的输入端与所述的第二片上可调匹配网络单元的输出端相连，低噪声放大器的输出端与所述的下变频混频器的第一个信号输入端相连，下变频混频器的输出端与所述的可变增益放大器的输入端相连，可变增益放大器的输出端与所述的滤波器的输入端相连，滤波器的输出端与所述的模/数转换模块的第一个信号输入端相连；其中，第二片上可调匹配网络单元的输入信号由外部天线接入，下变频混频器的第二个信号输入端接入接收芯片的LO信号，所述的LO信号由外部电路给出，所述的模/数转换模块的第二个信号输入端接入ADC时钟信号，所述的ADC时钟信号由外部电路信号控制；

所述的集成乘法器和FFT的模/数转换模块用于对接收信号进行数字域的强度和相位分析来确定所述的两个片上可调匹配网络单元的修复方式。

2.根据权利要求1所述的片上匹配自修复系统，其特征在于，所述的电感电容匹配网络包括网络输入端、电感L1、L2、L3，可调电容C1、C2，网络输出端，所述的网络输入端、L1的一端、所述的第一电压峰值检测单元的输入端相连，L1的另一端、所述的第二电压峰值检测单元的输入端、L2的一端、C1的一端相连，L2的另一端、L3的一端、C2的一端相连，L3的另一端与所述的网络输出端相连，C1和C2的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的片上匹配自修复系统，其特征在于，所述的电压峰值检测单元包括网络输入端、电阻R1、R2、R3，NMOS晶体管M1、M2，电容C1、C2，恒定电流源I1和网络输出端，网络输入端与R1的一端相连，R1的另一端、C2的一端、R2的一端相连，C2的另一端、M2的栅极、C1的一端、M1的栅极相连，M2的源极、网络输出端、R3的一端相连，I1的输出端、M1的漏极相连，其中M1的漏极和栅极相连，I1的输入端、M1的源极、C1的另一端、R2的另一端、R3的另一端接地，M2的漏极接入外部直流偏置电压，网络输出端电压值为检测电压。