[发明专利](004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用和钙钛矿太阳能电池制备方法在审

专利信息
申请号: 201910305545.6 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN110010768A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 丁万昱;张鑫;何艳菲 申请(专利权)人: 大连交通大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C23C14/24;C23C14/14
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 赵淑梅;李馨
地址: 116028 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 太阳能电池 二氧化钛电子传输层 磁控溅射 二氧化钛 晶体结构 择优取向 晶面 太阳能电池领域 太阳能电池制备 钛靶表面 可调控 制备 应用
【权利要求书】:

1.(004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用。

2.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:

利用磁控溅射的方法在室温条件下,以高纯金属钛靶,在FTO透明导电玻璃上得到非晶二氧化钛电子传输层,所述磁控溅射的功率密度为0.8-3.3W/cm2

将沉积有非晶二氧化钛电子传输层的FTO透明导电玻璃在空气条件下进行450-550℃退火,得到具有(004)晶面择优的锐钛矿相多晶结构的二氧化钛电子传输层;

将甲胺碘和碘化铅以等摩尔比溶解于N,N-二甲基甲酰胺中形成甲氨铅碘溶液,甲氨铅碘溶液中甲胺碘和碘化铅的总质量分数为20-40wt.%,将甲氨铅碘溶液旋涂在具有(004)晶面择优的锐钛矿相多晶结构的二氧化钛电子传输层上,90-120℃退火15-60min,冷却至室温,得到甲氨铅碘层;

将空穴传输材料旋涂在甲氨铅碘层上,然后在氮气条件下暗置12-36h,得到空穴传输层;

采用热蒸发法在空穴传输层上沉积厚度为100-300nm的金电极。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述FTO透明导电玻璃在使用前依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:利用磁控溅射制备非晶二氧化钛电子传输层时,工作气体为高纯氩和高纯氧。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于:利用磁控溅射制备的非晶二氧化钛电子传输层的厚度为50-300nm。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于:利用磁控溅射制备非晶二氧化钛电子传输层时,退火时间大于30min。

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