[发明专利]一种合成聚合物微球的方法

权利要求书

1.一种合成聚合物微球的方法，其特征在于，包括：

(1)在硅片表面光刻，得到具有凹槽和微平台的微结构；

(2)在具有微结构的硅片表面制备超双疏表面；制备超双疏表面的具体过程包括：将步骤(1)得到的硅片置于火焰上积累碳颗粒，直至烟灰碳层均匀沉积在硅片表面，然后采用原硅酸四乙酯和氨水在-0.08至-0.12MPa的真空条件下进行化学气相沉积，在硅片表面生成二氧化硅；将具有二氧化硅的硅片在550℃-650℃下烧结1.5h-2.5h，得到透明二氧化硅表层的硅片，然后用1H,1H,2H,2H-全氟辛基三氯硅烷氟化2h-3h，得到具有超双疏表面的硅片；

(3)在硅片的超双疏表面用聚合物溶液进行微流体纺丝，将纺丝后的硅片加热，得到聚合物微球；所述聚合物溶液为浓度为25wt％-35wt％的聚甲基丙烯酸甲酯溶液或浓度为25-35wt％的聚苯乙烯溶液，聚甲基丙烯酸甲酯溶液和聚苯乙烯溶液的溶剂均为N,N-二甲基甲酰胺；加热温度为120℃-140℃，加热时间为15min-30min。

2.根据权利要求1所述的合成聚合物微球的方法，其特征在于，步骤(1)中，在硅片表面光刻的具体过程包括：

在黄光照射条件下，将光刻胶滴加在厚度为500±100um、氧化层厚度为300±10nm，晶向为100±0.5°以及直径为100±0.3mm的硅片表面然后旋涂，然后将硅片在100℃-120℃下加热固化，再取掩膜版曝光6s-7s，用显影液显影20s-24s；

将硅片在80℃-120℃下加热2min-4min，然后用第一刻蚀剂刻蚀为20min-30min，然后清洗硅片；然后，将硅片用第二刻蚀剂在60℃-80℃的条件下刻蚀，得到具有凹槽和微平台的微结构；其中，第一刻蚀剂为氟化氢和35wt％-45wt％氟化铵溶液按照1:(5-7)的体积比配制，然后加入4-6倍质量水稀释而成，第二刻蚀剂为10wt％-20wt％的四甲基氢氧化铵溶液。

3.根据权利要求2所述的合成聚合物微球的方法，其特征在于，所述显影液为20wt％-30wt％四甲基氢氧化铵溶液和水按照1:(7-9)的体积比配置而成。

4.根据权利要求2所述的合成聚合物微球的方法，其特征在于，旋涂加速度为750r/s²-850r/s²，最大速度为3500r/s。

5.根据权利要求2所述的合成聚合物微球的方法，其特征在于，在滴加光刻胶之前，将硅片进行以下预处理：将硅片在真空条件下等离子体处理25min-35min，再将硅片放在250℃-300℃下加热25min-35min。