[发明专利]电容性半导体元件有效
| 申请号： | 201910340165.6 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN111430328B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 川村昌靖;夏目秀隆;藤井康博;熊谷裕弘 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 半导体 元件 | ||
1.一种电容性半导体元件，其特征在于，包括：
金属-氧化物-金属电容器，所述金属-氧化物-金属电容器包括相互耦合而形成配线间电容的多个指状配线、以及将规定的所述指状配线相互连接的共用配线，其中所述金属-氧化物-金属电容器是由层叠的金属层所形成；
栅极电极，位于层叠有所述金属层的硅衬底上，当从所述金属层层叠方向观察时，至少一部分与所述指状配线的图案重叠，并且具有与所述指状配线的图案相同或相似的第一图案；以及
硅区域，位于所述硅衬底上，当从所述金属层层叠方向观察时，至少一部分与所述指状配线的图案重叠，并且具有与所述指状配线的图案相同或相似的第二图案。
2.根据权利要求1所述的电容性半导体元件，其特征在于：
当从层叠方向观察时，所述指状配线长度方向的中心轴、所述第一图案长度方向的中心轴和所述第二图案长度方向的中心轴是一致的。
3.根据权利要求1或2所述的电容性半导体元件，其特征在于：
所述栅极电极在所述硅衬底上，当从所述金属层层叠方向观察时，至少一部分与所述共用配线的图案重叠，并且具有与所述共用配线的图案相同或相似的第三图案；
所述硅区域在所述硅衬底上，当从所述金属层层叠方向观察时，至少一部分与所述共用配线的图案重叠，并且具有与所述共用配线的图案相同或相似的第四图案。
4.根据权利要求3所述的电容性半导体元件，其特征在于：
当从层叠方向观察时，所述共用配线长度方向的中心轴、所述第三图案长度方向的中心轴和所述第四图案长度方向的中心轴是一致的。
5.根据权利要求1所述的电容性半导体元件，其特征在于：
所述硅区域是导电性区域。
6.根据权利要求5所述的电容性半导体元件，其特征在于：
所述硅区域包含扩散层。
7.根据权利要求5所述的电容性半导体元件，其特征在于：
在所述硅区域所夹区域内形成浅沟隔离。
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