[发明专利]电容性半导体元件

说明书

本发明的目的在于提供一种考虑寄生电容分量从而能够进行更精确设计的电容性半导体元件。电容性半导体元件包括：MOM电容器，包括相互耦合而形成配线间电容的多个指状配线,以及将规定的指状配线相互连接的共用配线；栅极电极(DG)，位于层叠有金属层的硅衬底上，当从层叠方向观察时，至少一部分与指状配线的图案重叠，并且具有与指状配线的图案相同或相似的第一图案；以及硅区域(DA)，位于硅衬底上，当从层叠方向观察时，至少一部分与指状配线的图案重叠，并且具有与指状配线的图案相同或相似的第二图案。

技术领域

本发明涉及一种电容性半导体元件。

背景技术

在集成电路领域中，会使用一种利用配线间电容的Metal-Oxide-Metal(金属-氧化物-金属)电容(以下称为“MOM”)。MOM例如与Metal-Insulator-Metal(MIM，金属-绝缘体-金属)电容相比具有电容密度较高等优点。但是，根据现有MOM的结构，存在两个电极所产生的寄生电容发生不平衡的可能性。

现有技术中的MOM结构包括：呈梳齿状配置而相互形成配线间电容的两个电极配线，在一个电极配线的正下方配置分离氧化膜，在另一个电极配线的正下方配置活性区域。

此外，在设计MOM时，期望能够更精确地模拟制造寄生电容，确保MOM电容值的线性度。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种考虑寄生电容分量从而能够进行更精确设计的电容性半导体元件。

本发明的第一方式提供一种电容性半导体元件，包括：金属-氧化物-金属电容器(MOM电容器)，所述金属-氧化物-金属电容器包括相互耦合而形成配线间电容的多个指状配线、以及将规定的所述指状配线相互连接的共用配线，其中所述金属-氧化物-金属电容器是由层叠的金属层所形成；栅极电极，位于层叠有所述金属层的硅衬底上，当从所述金属层层叠方向观察时，至少一部分与所述指状配线的图案重叠，并且具有与所述指状配线的图案相同或相似的第一图案；以及硅区域，位于所述硅衬底上，当从所述金属层层叠方向观察时，至少一部分与所述指状配线的图案重叠，并且具有与所述指状配线的图案相同或相似的第二图案。

根据如上所述的结构，作为结构被设计如下：与构成MOM的指状配线相对应地，栅极电极在硅衬底上，当从所述金属层层叠方向观察时，至少一部分与指状配线的图案重叠，并且具有与指状配线的图案相同或相似的第一图案。此外，作为结构被设计如下：与构成MOM的指状配线相对应地，硅区域在硅衬底上，当从所述金属层层叠方向观察时，至少一部分与指状配线的图案重叠，并且具有与指状配线的图案相同或相似的第二图案。即，能够使指状配线与栅极电极及硅区域之间的寄生电容在各指状配线统一化。由此，能够降低MOM的电极间的寄生电容的不平衡性。此外，由于将各指状配线的寄生电容统一化，所以在设计MOM时可容易地估算制造后的寄生电容，并且也能够提高包含寄生电容分量在内的MOM电容值的线性度。因此，可考虑寄生电容分量从而能够进行更精确地设计。

在上述电容性半导体元件中，也可以是，当从层叠方向观察时，所述指状配线长度方向的中心轴、所述第一图案长度方向的中心轴和所述第二图案长度方向的中心轴是一致的。

根据如上所述的结构，当从层叠方向观察时，由于指状配线长度方向的中心轴、第一图案长度方向的中心轴和第二图案长度方向的中心轴是相互一致的，所以能够更精确地使各指状配线的寄生电容统一化。即，可考虑寄生电容分量从而能够进行更精确地设计。

在上述电容性半导体元件中，也可以是，所述栅极电极在所述硅衬底上，当从层叠方向观察时，至少一部分与所述共用配线的图案重叠，并且具有与所述共用配线的图案相同或相似的第三图案，所述硅区域在所述硅衬底上，当从层叠方向观察时，至少一部分与所述共用配线的图案重叠，并且具有与所述共用配线的图案相同或相似的第四图案。