[发明专利]一种OLED薄膜封装层及其制备方法

权利要求书

1.一种OLED薄膜封装层，其特征在于，所述OLED薄膜封装层包括层叠的有机物层、金属氧化物层和金属层；从化学组成上，所述有机物层包括三(8-羟基喹啉)铝、N,N’-二苯基-N,N’-二(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；所述金属氧化物层包括MoO₂和MoO₃的混合物或者WO₂和WO₃的混合物；所述金属层包括铝、银、锌、镍和镁中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述铝的形式为铝单质或铝合金，所述银的形式为银单质或银合金，所述锌的形式为单质锌或锌合金，所述镍的形式为单质镍或镍合金，所述镁的形式为单质镁或镁合金。

3.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述OLED薄膜封装层中有机物层、金属氧化物层和金属层呈周期性排列。

4.根据权利要求3所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述周期性排列的周期数为1～8。

5.根据权利要求1或3所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述有机物层与金属氧化物层之间还包括钙层。

6.根据权利要求5所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述钙层的厚度为50～200nm。

7.根据权利要求1所述的OLED薄膜封装层，其特征在于，所述有机物层、金属氧化物层和金属层的厚度独立地为50～100nm。

8.权利要求1～7任一项所述OLED薄膜封装层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在OLED器件上依次蒸镀有机物层、金属氧化物层和金属层，得到所述OLED薄膜封装层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀的电流为30～100A。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀中金属氧化物蒸发速率为