[发明专利]阵列基板及其制备方法、OLED显示面板在审
申请号: | 201910349316.4 | 申请日: | 2019-04-28 |
公开(公告)号: | CN110098230A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 范英春 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 色阻层 彩色滤光层 阵列基板 复合色 遮光层 子薄膜 薄膜晶体管阵列基板 彩膜结构 漏光问题 显示品质 依次层叠 光罩 三色 像素 制备 制程 阻层 薄膜 | ||
一种阵列基板,包括薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光层,彩色滤光层包括第一色阻层、第二色阻层、第三色阻层、以及将第一色阻层、第二色阻层、以及第三色阻层间隔开的复合色阻遮光层,复合色阻遮光层包括依次层叠设置的第一子薄膜、第二子薄膜以及第三子薄膜。在不增加光罩制程的情况下,通过改变COA结构中的彩膜结构,能够解决像素漏光问题,进而提高面板的显示品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、OLED显示面板。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光二极管)器件因其具有自发光性、广视角、高对比度、低电耗、高反应速率、等优点被广泛用于显示领域,OLED显示面板不仅朝着曲面显示面板发展,也逐渐向大尺寸面板发展。由于顶发射结构的显示面板存在IR drop(压降)问题,在大尺寸面板中,底发射结构是优选结构。但是,COA(Color FilterOn Array,彩色滤光片制备于阵列基板上)结构的底发射型OLED显示面板存在像素漏光导致单光不纯的问题,进而影响显示效果。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、OLED显示面板,以解决现有的COA结构中存在的像素漏光导致单色光不纯,进而影响显示的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种阵列基板,包括:薄膜晶体管阵列基板和设置于所述薄膜晶体管阵列基板上的彩色滤光层,所述彩色滤光层包括第一色阻层、第二色阻层、第三色阻层以及复合色阻遮光层,所述复合色阻遮光层将所述第一色阻层、所述第二色阻层、以及所述第三色阻层间隔开,所述复合色阻遮光层包括依次层叠设置的第一子薄膜、第二子薄膜以及第三子薄膜。
在本发明的至少一种实施例中,所述第一子薄膜、所述第二子薄膜以及所述第三子薄膜分别为与所述第一色阻层、所述第二色阻层以及所述第三色阻层颜色相同的色阻。
在本发明的至少一种实施例中,所述第一色阻层、所述第二色阻层、所述第三色阻层分别为按任意顺序排列的红、绿、蓝色阻。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法,包括以下步骤:
S10,提供一薄膜晶体管阵列基板;
S20,在所述薄膜晶体管阵列基板上涂布第一色阻,经过曝光、显影后,形成第一色阻层、第一子薄膜;
S30,在所述第一色阻层上涂布第二色阻,经过曝光、显影后,形成第二色阻层和第二子薄膜;
S40,在所述第二色阻层上涂布第二色阻,经过曝光、显影后,形成第三色阻层和第三子薄膜,其中,所述第一子薄膜、所述第二子薄膜以及所述第三子薄膜一起形成复合色阻遮光层。
在本发明的至少一种实施例中,所述第一色阻、所述第二色阻以及所述第三色阻分别为按任意顺序排列的红、绿、蓝色阻。
本发明还提供一种OLED显示面板,包括:薄膜晶体管阵列基板、设置于所述薄膜晶体管阵列基板上的彩色滤光层、以及设置于所述彩色滤光层上的OLED发光层,所述彩色滤光层包括第一色阻层、第二色阻层、第三色阻层、以及复合色阻遮光层,所述复合色阻遮光层将所述第一色阻层、所述第二色阻层、以及所述第三色阻层间隔开,所述复合色阻遮光层包括依次层叠设置的第一子薄膜、第二子薄膜以及第三子薄膜。
在本发明的至少一种实施例中,所述第一子薄膜、所述第二子薄膜以及所述第三子薄膜分别为与所述第一色阻层、所述第二色阻层以及所述第三色阻层颜色相同的色阻。
在本发明的至少一种实施例中,所述第一色阻层、所述第二色阻层、所述第三色阻层分别为按任意顺序排列的红、绿、蓝色阻。
在本发明的至少一种实施例中,所述复合色阻遮光层位于相邻的所述OLED发光层之间的非发光区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的