[发明专利]功率半导体器件制作方法及功率半导体器件

权利要求书

1.一种功率半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

对基板的两面分别进行金属化，其中基板正面形成三个相互隔离的金属化区域，并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片；

将所述基板的背面粘接在金属外壳内腔底面上，并对粘接有所述基板的所述金属外壳进行烧结；

将玻璃绝缘子穿过所述金属外壳侧壁上的引线孔，固定于所述金属外壳侧壁上，并将设置在玻璃绝缘子内部的引线分别与对应的热沉片直接连接；

在所述基板的中间位置的热沉片上粘接芯片，并对所述芯片进行烧结；

电连接所述芯片与两侧热沉片；

在所述芯片表面涂覆绝缘胶，并对所述金属外壳进行密封。

2.如权利要求1所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述基板为陶瓷基板，由氧化铍或氮化铝形成。

3.如权利要求1所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述三个金属化区域平行排列，其中中间位置的金属化区域与所述芯片相适应，两侧两个金属化区域为长条形。

4.如权利要求1所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述热沉片为表面镀金的铜钼铜片。

5.如权利要求1所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述电连接所述芯片与两侧热沉片，包括：在所述芯片与所述两侧热沉片之间等间距依次平行键合金带。

6.如权利要求5所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述金带宽度为250μm，厚度为25μm。

7.如权利要求1所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述三个金属化区域之间间隔为0.5mm～1.0mm。

8.如权利要求1所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述基板与所述热沉片之间、所述热沉片与所述芯片之间及所述基板与所述金属外壳底面之间均采用涂覆纳米银膏进行粘接。

9.如权利要求8所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述对粘接有所述基板的所述金属外壳进行烧结，包括：将所述粘接有所述基板的所述金属外壳在200℃～250℃的氮气气氛中烧结0.5h～1h。

10.如权利要求8所述的功率半导体器件制作方法，其特征在于，所述对所述芯片进行烧结，包括：将安装有所述芯片的所述金属外壳在150℃～180℃的氮气气氛中烧结4h。

11.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：

具有密闭空间的金属外壳；

基板，设置在所述金属外壳内，所述基板两面金属化，且正面形成三个相互隔离的金属化区域；

三个热沉片，分别设置在所述基板的三个金属化区域上；

芯片，设置在位于中间位置的热沉片上，且所述芯片与两侧热沉片电连接；

玻璃绝缘子，穿设在所述金属外壳侧壁引线孔中，并固定在所述金属外壳侧壁上，且设置在玻璃绝缘子内部的引线分别与对应的热沉片直接连接；

其中，在芯片表面涂覆有用于对芯片进行密封的绝缘胶。