[发明专利]一种快速原位放电修整加工STM探针的方法有效

专利信息
申请号: 201910356500.1 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN110026626B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 杨晔 申请(专利权)人: 上海师范大学
主分类号: B23H1/00 分类号: B23H1/00;B23H9/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 蒋亮珠
地址: 200234 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 快速 原位 放电 修整 加工 stm 探针 方法
【权利要求书】:

1.一种快速原位放电修整加工STM探针的方法,其特征在于,STM扫描样品表面后,进行原位的探针针尖修整加工:将STM探针作为阳极,样品作为阴极,控制纳米尺度的极间加工间距,在两极间施加短脉冲的直流电压,形成纳米尺度的放电通道,蚀除探针针尖的边缘材料,提高针尖的尖锐度;

所述的纳米尺度的极间加工间距的确定方法为:根据隧道电流-高度关系曲线确定初始的隧道间距,再驱动压电陶瓷扫描管驱动器,在z方向进行相对的位移,获得指定的纳米加工间距。

2.根据权利要求1所述的一种快速原位放电修整加工STM探针的方法,其特征在于,所述的STM探针作为阳极,连接电源的正极,样品作为阴极接地,样品置于压电扫描驱动器上,通过压电扫描驱动器在z方向的移动,调节阳极与阴极之间的间距。

3.根据权利要求1所述的一种快速原位放电修整加工STM探针的方法,其特征在于,所述的隧道电流-高度关系曲线为隧道电流随高度增加而呈指数衰减,隧道电流为I,高度为针尖高度D,近似的拟合曲线为I=C1×exp(-C2×D),其中C1,C2为拟合常数;初始的隧道间距选取为0.6 ~ 1.6 nm。

4.根据权利要求1所述的一种快速原位放电修整加工STM探针的方法,其特征在于,所述的纳米尺度的极间加工间距d的范围为:0.5 nm d V / E0,所述的V为施加在两极间的直流电压幅值,E0为电场强度阈值,E0 = 6.0~8.0 V/nm。

5.根据权利要求1所述的一种快速原位放电修整加工STM探针的方法,其特征在于,所述的在两极间施加短脉冲的直流电压,施加的直流电压为6 ~ 10 V,电压的作用时间为100~ 300 ms。

6.根据权利要求1所述的一种快速原位放电修整加工STM探针的方法,其特征在于,所述的针尖的尖锐度在原位进行检测和判定。

7.根据权利要求6所述的一种快速原位放电修整加工STM探针的方法,其特征在于,所述的针尖的尖锐度的检测和判定方法为:在原位采用STM扫描成像的方法,检测样品表面局域的形貌图,与修整加工前的扫描成像图进行对比,如果图像的清晰度获得提高,即表明修整后的针尖变得更加尖锐。

8.根据权利要求6所述的一种快速原位放电修整加工STM探针的方法,其特征在于,所述的针尖的尖锐度的检测和判定方法为:原位检测隧道电流-高度曲线,与修整加工前测得的曲线进行对比,针尖的尖锐化会使得曲线更加陡峭,隧道电流随着高度的增加而下降得更为迅速。

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