[发明专利]一种半导体桥芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体桥芯片，其特征在于，包括：位于半导体桥芯片底层的单晶硅基底(1)，在所述单晶硅基底(1)上表面形成二氧化硅层(2)，在所述二氧化硅层(2)的上表面设置有单晶硅层(3)，所述单晶硅层(3)上包含桥区(31)，在单晶硅层(3)上部分区域覆盖金属电极(4)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体桥芯片，其特征在于，所述桥区(31)形状包括但不仅限于“H”形和“V”形。

3.一种如权利要求1所述的半导体桥芯片的制备方法，包括如下步骤：

步骤1，制备SOI基片；

步骤2，在SOI基片的顶层单晶硅内掺杂元素，改变其电学性质；

步骤3，在SOI顶层单晶硅上涂覆光刻胶，刻蚀出桥区；

步骤4，去掉步骤3中的光刻胶，并在SOI基片上表面溅射金属；

步骤5，在步骤4中的金属膜上表面涂覆光刻胶，采用步骤3的方法刻蚀出电极区域，并腐蚀掉未被光刻胶保护的金属膜；

步骤6，去掉步骤5中的光刻胶，将半导体桥芯片在氮气环境下退火处理。

4.根据权利要求3所述的一种半导体桥芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤1中SOI基片可根据需求定制。

5.根据权利要求3所述的一种半导体桥芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤2中掺杂元素可包括但不仅限于磷或者硼，从而形成n型或p型单晶硅层。

6.根据权利要求3所述的一种半导体桥芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤3中刻蚀桥区具体实现如下：

在SOI上表面涂覆光刻胶，并用甩胶机将胶甩匀，之后烘干光刻胶。将绘有桥区图形的掩模版与SOI顶层单晶硅上表面紧密贴合，并进行曝光显影，光刻出桥区。

7.根据权利要求3所述的一种半导体桥芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤4使用物理气相沉积法在SOI基片上表面溅射包括但不仅限于铝的金属膜，厚度在1um～2um之间。

8.根据权利要求3所述的一种半导体桥芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤5采用以磷酸为主的混合溶剂腐蚀金属膜。

9.根据权利要求3所述的一种半导体桥芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤6将半导体桥芯片在氮气环境，在高温条件下退火。