[发明专利]一种非易失性存储器的编程方法及控制装置

说明书

本发明公开了一种非易失性存储器的编程方法及控制装置。所述方法包括：获取目标编程数量的待编程数据；对待编程数据进行编程校验；如果编程失败，则根据编程次数选取对应的编程模式进行编程。利用该方法，能够提升非易失性存储器的编程效率。

技术领域

本发明实施例涉及时序电路技术领域，尤其涉及一种非易失性存储器的编程方法及控制装置。

背景技术

随着时序电路技术的飞速发展，非易失性存储器得到了广泛的应用。非易失性存储器可多次进行数据的读取、擦除和编程等操作，且存入非易失性存储器的数据在断电后不会丢失。

现有非易失性存储器的编程过程为：编程校验、编程、编程校验……，直至编程成功。在编程过程中每次编程脉冲所对应的最大编程位数是固定的，比如1byte或2byte等。

这样存在的问题是：如果一次编程位数较少，则非易失性存储器的编程效率较低，影响编程时间；如果一次编程位数较多，则位线方向的电压泵提供电流的能力可能不够，需要很多的循环才能编程成功，同样编程效率很低。

发明内容

本发明实施例提供了一种非易失性存储器的编程方法及控制装置，以提升非易失性存储器的编程效率。

第一方面，本发明实施例提供了一种非易失性存储器的编程方法，包括：

获取目标编程数量的待编程数据；

对待编程数据进行编程校验；

如果编程失败，则根据编程次数选取对应的编程模式进行编程。

可选的，根据编程次数选取对应的编程模式进行编程，包括：

如果当前为首次编程，则从所述待编程数据中选取预设数量的首次编程数据；

对所述首次待编程数据编程第一时长；

对所述待编程数据编程第二时长；

编程结束后，返回对待编程数据进行编程校验的操作。

可选的，根据编程次数选取对应的编程模式进行编程，包括：

如果当前为非首次编程，则对待编程数据编程第三时长；

编程结束后，返回对待编程数据进行编程校验的操作。

可选的，获取目标编程数量的待编程数据，包括：

从编程数据中根据各编程数据的编程地址读取目标编程数量的待编程数据。

可选的，该方法还包括：

如果编程成功，则获取所述待编程数据对应的当前编程地址；

若所述当前编程地址不为结束编程地址，则根据所述当前编程地址从所述编程数据中读取下一待编程数据，并继续进行编程校验操作直至编写到所述结束编程地址。

第二方面，本发明实施例提供了一种控制装置，配置于非易失性存储器，包括：

获取模块，用于获取目标编程数量的待编程数据；

校验模块，用于对待编程数据进行编程校验；

编程模块，用于当编程失败时，根据编程次数选取对应的编程模式进行编程。

可选的，所述编程模块，具体用于：

当编程失败时，判断当前是否为首次编程；

如果当前为首次编程，则从所述待编程数据中选取预设数量的首次编程数据；

对所述首次待编程数据编程第一时长；

对所述待编程数据编程第二时长；