[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

权利要求书

1.衬底处理装置，其具备：

第1处理组件，其具有衬底处理用的第1处理容器；

第2处理组件，其与所述第1处理组件的侧面侧相邻地配置，具有衬底处理用的第2处理容器；

第1设备系统，其与所述第1处理组件的背面相邻地配置，且包含第1排气系统和第1供给系统，所述第1排气系统对所述第1处理容器内进行排气，所述第1供给系统向所述第1处理容器内供给处理气体；

第2设备系统，其与所述第2处理组件的背面相邻地配置，且包含第2排气系统和第2供给系统，所述第2排气系统对所述第2处理容器内进行排气，所述第2供给系统向所述第2处理容器内供给处理气体，

其中，所述第1供给系统和所述第1排气系统在所述第1处理组件的背面方向并列配置，所述第2供给系统和所述第2排气系统在所述第2处理组件的背面方向并列配置，

在所述第1处理组件和所述第2处理组件的背面方向，在所述第1设备系统及所述第2设备系统之间，形成有相对于所述第1处理组件和所述第2处理组件共用的维护区域。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，

所述第1设备系统包括：包含所述第1供给系统的第1供给箱和包含所述第1排气系统的第1排气箱，

所述第2设备系统包括：包含所述第2供给系统的第2供给箱和包含所述第2排气系统的第2排气箱。

3.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中，

所述维护区域构成能够对所述第1处理容器和所述第2处理容器进行维护的区域。

4.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中，

所述第1设备系统被设置成：所述第1处理组件的与所述第2处理组件相反方向的外侧侧面和所述第1设备系统的与所述第2处理组件相反方向的外侧侧面变得平坦，

所述第2设备系统被设置成：所述第2处理组件的与所述第1处理组件相反方向的外侧侧面和所述第2设备系统的与所述第1处理组件相反方向的外侧侧面变得平坦。

5.如权利要求4所述的衬底处理装置，其中，

所述第1处理容器构成为：所述第1处理容器的排气管面对所述变得平坦的所述第1处理组件的外侧侧面方向，

所述第2处理容器构成为：所述第2处理容器的排气管面对所述变得平坦的所述第2处理组件的外侧侧面方向。

6.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中，

在所述第1设备系统，在比所述第1排气系统和所述第1供给系统更靠背面侧设有第1控制器箱，所述第1控制器箱收纳控制所述第1排气系统和所述第1供给系统的动作的控制器，

在所述第2设备系统，在比所述第2排气系统和所述第2供给系统更靠背面侧设有第2控制器箱，所述第2控制器箱收纳控制所述第2排气系统和所述第2供给系统的动作的控制器。

7.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中，

所述第1处理组件和所述第2处理组件，相对于所述第1处理组件与所述第2处理组件的相邻面而面对称地配置，

所述第1设备系统和所述第2设备系统相对于所述相邻面而面对称地配置。

8.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中，

所述第1设备系统和所述第2设备系统的正面侧的宽度形成为小于背面侧的宽度，

关于所述第1设备系统和所述第2设备系统之间的距离，正面侧大于背面侧。

9.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，

所述第1供给箱被设置成：所述第1处理组件的与所述第2处理组件相反方向的外侧侧面和所述第1供给箱的与所述第2处理组件相反方向的外侧侧面变得平坦，

所述第2供给箱被设置成：所述第2处理组件的与所述第1处理组件相反方向的外侧侧面和所述第2供给箱的与所述第1处理组件相反方向的外侧侧面变得平坦。

10.如权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中，

所述第1处理组件和所述第2处理组件彼此无间隙地配置。