[发明专利]一种具有热活化延迟荧光性质的A-D-A型纳米缺角格子及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种具有热活化延迟荧光性质的A-D-A型纳米缺角格子，其特征在于：该纳米缺角格子是基于芴或氮杂芴并具有刚性几何结构，其结构通式如下：

结构通式中，由4～26个芳烃或含杂原子芳烃类结构构成，“D”为电子供体单元，“A”为电子受体单元。

2.根据权利要求1所述的一种具有热活化延迟荧光性质的A-D-A型纳米缺角格子，其特征在于：该A-D-A型纳米格子为芴类结构，该类纳米格子具有如下结构：

式中：W为C或N，R为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基或芳香烃。

3.根据权利要求2所述的一种具有热活化延迟荧光性质的A-D-A型纳米缺角格子，其特征在于：Ar₁为电子给体单元，为以下结构中的一种：

Ar₂为受体单元，为以下结构中的一种：

以上各式中R₁-R₈为氢或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基链或其烷氧基或者芳香烃；X原子为N，Y原子为N，O，S或Se。

4.一种具有热活化延迟荧光性质的A-D-A型纳米缺角格子的制备方法，其特征在于：

该方法包括以下步骤：

S1：对Ar₁基团进行硼酸化，利用格式反应把带溴芴酮化合物制备成芴基叔醇；

S2：利用SuZuKi反应，把硼酸化Ar₁化合物和所述S1步骤得到的芴基叔醇进行偶联，制备成带有Ar₁电子给体的叔醇化合物，作为合环前体；

S3：将所述S2步骤得到的合环前体Ar₁叔醇化合物，在常温和有机酸的环境下实施傅克合环反应，制备成纳米缺角格子；

S4：将所述S3步骤得到的纳米缺角格子，在150℃环境下，通过芳香亲核反应与Ar₂基团进行连接，制备出A-D-A型纳米缺角格子化合物；

其制备路线通式I为：

其中“D”为电子给体单元，“A”为电子受体单元。

5.一种具有热活化延迟荧光性质的A-D-A型纳米缺角格子的应用，其特征在于：该A-D-A型纳米格子应用于有机发光二极管，其中发光二极管器件的结构为透明阳极/发光层/电子注入层/阴极，该类A-D-A型纳米格子材料作为发光层材料。