[发明专利]传感器装置和制造传感器装置的方法有效

专利信息
申请号: 201910444378.3 申请日: 2019-05-27
公开(公告)号: CN110658354B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: G·宾德 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01P3/487 分类号: G01P3/487;G01R33/07
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 郑立柱;闫昊
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 传感器 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种传感器装置,包括:

在第一方向上磁化的磁体;和

布置在所述磁体上的差动磁场传感器,所述差动磁场传感器具有第一传感器元件和第二传感器元件,其中所述传感器元件在垂直于所述第一方向的第二方向上间隔开,

其中,所述第一传感器元件和所述第二传感器元件被设置为,在垂直于所述第一方向并垂直于所述第二方向的第三方向上检测磁场分量。

2.根据权利要求1所述的传感器装置,其中,所述传感器装置相对于铁磁轮布置,其中所述铁磁轮被设置为,围绕在所述第三方向上延伸的旋转轴线转动。

3.根据权利要求1或2所述的传感器装置,其中,所述第一传感器元件和所述第二传感器元件被设置为,检测铁磁轮的速度。

4.根据权利要求1或2所述的传感器装置,其中,所述传感器装置和铁磁轮通过气隙被分开。

5.根据权利要求1或2所述的传感器装置,其中,所述差动磁场传感器面向所述磁体的主表面被布置为,平行于通过所述第一方向和所述第二方向所展开的平面。

6.根据权利要求1或2所述的传感器装置,其中,所述差动磁场传感器包括在所述第三方向上敏感的霍尔传感器。

7.根据权利要求1或2所述的传感器装置,其中,所述磁体具有在所述第二方向上延伸的侧边缘,其中所述两个传感器元件各自的中心和所述侧边缘在沿所述第三方向的投影上相交。

8.根据权利要求7所述的传感器装置,其中,所述第一传感器元件和所述第二传感器元件距所述磁体的所述侧边缘的中点距离相等。

9.根据权利要求1或2所述的传感器装置,其中,所述第一传感器元件和所述第二传感器元件经受所述磁体的相同的磁性工作点。

10.根据权利要求1或2所述的传感器装置,其中,在局部极值的情况下,以所述磁体沿第三方向的磁场分量的磁场分布来布置所述第一传感器元件和第二传感器元件,其中,所述磁场分布沿所述第一方向延伸。

11.根据权利要求1或2所述的传感器装置,其中,所述磁场传感器布置在导体框架上,并且所述导体框架的连接导体在所述第一方向上具有基本直线形的延伸。

12.根据权利要求1或2所述的传感器装置,其中,所述差动磁场传感器面向所述磁体的主表面被布置为,平行于通过所述第二方向和所述第三方向所展开的平面。

13.根据权利要求12所述的传感器装置,其中,所述差动磁场传感器包括在所述第三方向上敏感的xMR传感器元件。

14.根据权利要求12所述的传感器装置,其中,所述磁体具有凹部。

15.根据权利要求1或2所述的传感器装置,其中,所述磁体包括块状磁体。

16.根据权利要求2所述的传感器装置,还包括所述磁场传感器的第三传感器元件,其中所述第三传感器元件被布置在所述第一传感器元件和第二传感器元件之间并且被设置为检测所述铁磁轮的转动方向。

17.一种用于制造传感器装置的方法,包括:

提供在第一方向上磁化的磁体;和

将具有第一传感器元件和第二传感器元件的差动磁场传感器布置在所述磁体上,其中所述传感器元件在垂直于所述第一方向的第二方向上间隔开,

其中所述第一传感器元件和所述第二传感器元件被设置为,在垂直于所述第一方向并垂直于所述第二方向的第三方向上检测磁场分量。

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