[发明专利]一种锡球喷嘴及其制备方法有效
申请号: | 201910465883.6 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110137091B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 王云飞;张黎燕;高志廷;尹长青;唐坤 | 申请(专利权)人: | 河南机电职业学院 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人: | 李想;王文文 |
地址: | 451191 河南省郑州市*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 喷嘴 及其 制备 方法 | ||
1.一种锡球喷嘴,其特征在于:包括喷嘴基体(1),喷嘴基体(1)由颈段(101)、漏斗段(102)和平底端(103)构成,喷嘴基体(1)内壁上镀金刚石膜层(2),喷嘴基体(1)的平底端(103)开设有锡球喷口(3);颈段(101)为圆筒状,漏斗段(102)为锥筒状;所述颈段(101)的内径为5mm,壁厚2mm,高度为3mm,颈段(101)外表面设置有螺纹;漏斗段(102)以45°-60°的角度收缩,壁厚1mm,平底端(103)的内径为1-2mm,平底端(103)的厚度为0.5mm,锡球喷口(3)的直径为0.2-1mm;
所述喷嘴基体(1)由Ti合金制成;
所述锡球喷嘴采用以下方法制备:
1)热压主体:喷嘴基体(1)采用热锻液压方式制备;
2)激光打孔:锡球喷口(3)采用激光打孔方式制备;
3)清洗:将步骤(2)所得基体在丙酮内超声清洗,烘干;
4)镀膜:在烘干后的基体内表面上镀金刚石膜层(2),得到锡球喷嘴。
2.根据权利要求1所述的锡球喷嘴,其特征在于:所述金刚石膜层(2)的厚度为10-20μm。
3.根据权利要求1所述的一种锡球喷嘴,其特征在于:所述步骤(3)中基体在丙酮内超声清洗5-10min后,用N2气吹干。
4.根据权利要求3所述的一种锡球喷嘴,其特征在于:所述步骤(4)中采用热丝化学气相沉积法镀金刚石膜层(2)。
5.根据权利要求4所述的一种锡球喷嘴,其特征在于:所述热丝化学气相沉积法的工艺参数如下:CH4-H2混合气体流量200-500sccm,CH4占总流量的1-1.5%,喷嘴基体的温度为750-900℃,灯丝温度2000-2100℃,工作气压500-1000Pa,选择直径为0.2mm的钽丝作为热丝材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造