[发明专利]具有接点阵列的晶圆加热座

说明书

本发明提供一种晶圆加热座，包含一支撑柱连接于一盘体的底面，且该支撑柱握持有对应接触盘体的多个接触垫的一接点阵列，该接点阵列包括复数个接触柱。

技术领域

本发明是关于一种晶圆加热座，尤是一种具有接点阵列的晶圆加热座以及散热结构的晶圆加热座。

背景技术

在传统半导体处理设备中，反应腔体内的晶圆加热座是用以支撑一晶圆于腔体中进行各种处理，如蚀刻。通常在处理晶圆的过程中，需要控制晶圆的温度。基于此目的，晶圆支撑装置被设计成具有温度控制机制的加热装置，其在各种处理的应用中精确地控制晶圆的温度。一般晶圆加热座包含由陶瓷或金属构成的一盘体及密封在盘体中的加热组件，如加热线圈。更具体地，晶圆加热座还可进一步包含温度传感器、控制器及其他电子组件等。

加热在各种的晶圆处理中为重要的步骤，像是化学气相沉积(CVD)，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、光学微影、蚀刻及清洁等。这是因为操作温度为控制化学反应的过程。反应气体与晶圆表面的物质产生化学反应而形成导电薄膜或绝缘层，而欲在整体晶圆上得到均匀厚度且高质量的薄膜，热控制为处理过程中的关键因素之一。

一种已知的多区域加热的晶圆加热座，其包含具有多个电阻式加热组件的盘体，每一个加热组件由一控制器各别控制，使盘面的不同区域提供不同的加热程度。藉由适当地提供各加热组件的功率，遍布晶圆的温度可维持一致，有助于获得较佳的反应结果。此外，晶圆加热座的热也会沿着其结构向下传递，其可能影响处理腔中的温度梯度分布，导致不佳的反应结果。

因此，有需要发展一种多区加热的晶圆加热座，并且也要一并克服热分布的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆加热座，包含：一盘体，具有用于支撑晶圆的一承载面及相对于该承载面的一底面，其中该底面提供有复数个接触垫；及一支撑柱，连接于该盘体的底面，且该支撑柱握持有对应接触该等接触垫的一接点阵列，该接点阵列包括复数个接触柱。

在一具体实施例中，该盘体还被嵌入有一或多个加热组件及一或多个感应单元，每一个加热组件定义该盘体的一加热区域且每一个加热组件与至少三个接触垫电性连接。

在一具体实施例中，该盘体中形成有复数个导通孔连接于该等加热组件和该等接触垫。

在一具体实施例中，该支撑柱握持有用于固定该等接触柱的一基座。

在一具体实施例中，该等接触柱的每一者包含一柱体和包覆于该柱体的一外套，其中该柱体可相对于该外套往复移动，该外套被容置于该基座中。

在一具体实施例中，该柱体的顶端具有一接触帽，而该接触帽与该外套之间提供有一弹簧。

在一具体实施例中，该接点阵列的接触柱对应地电性耦接至复数个金属棒，以传递与所述加热组件和感应单元有关的讯号。

在一具体实施例中，该支撑柱与一散热器连接，该散热器从该支撑柱的一内部延伸至该支撑柱的一外部。

在一具体实施例中，该散热器连接于该支撑柱的一底端，该散热器具有一上部及一下部，其中该上部延伸至该支撑柱中，该下部暴露于该支撑柱之外且该下部具有复数个冷却通道。

在一具体实施例中，该散热器配置成与复数个金属棒接触以传递该等金属棒的热。

在一具体实施例中，该接点阵列的接触柱数量为三十六个。

在一具体实施例中，该散热器的一部分暴露于该处理腔的内部。

在以下本发明的说明书以及藉由本发明原理所例示的图式当中，将更详细呈现本发明的这些与其他特色和优点。

附图说明