[发明专利]一种含薁环的化合物、其用途及包含其的有机光电装置

权利要求书

1.一种含薁环的化合物，其特征在于，所述含薁环的化合物是具有式I结构的化合物：

式I中Z环为苯环、噻吩环、呋喃环或吡啶环；

D为含氮的给电子基，选自如下基团中的任意一种：

其中，X选自碳原子、氮原子、氧原子、硫原子或硅原子中的一种；

R₁、R₂各自独立地选自碳原子数为1-20的烷基、碳原子数为1-20的烷氧基、中的任意一种；

R₃选自氢原子、碳原子数为1-20的烷基、碳原子数为1-20的烷氧基、苯基、咔唑基、二苯胺基中的任意一种；

R₅、R₆、R₇、R₈各自独立地选自碳原子数为1-20的烷基、碳原子数为1-20的烷氧基、苯基中的任意一种；

r、s、p、q、u、v各自独立地为0、1或2；

#、##为基团的连接位点。

2.根据权利要求1所述的含薁环的化合物，其特征在于，所述含薁环的化合物是具有式II结构的化合物：

3.根据权利要求1所述的含薁环的化合物，其特征在于，所述含薁环的化合物是具有式III结构的化合物：

4.根据权利要求1所述的含薁环的化合物，其特征在于，所述含薁环的化合物是具有式IV结构的化合物：

5.根据权利要求1所述的含薁环的化合物，其特征在于，所述含薁环的化合物是具有式V结构的化合物：

6.根据权利要求1所述的含薁环的化合物，其特征在于，D选自如下基团中的任意一种：

其中，#为基团的连接位点。

7.根据权利要求1所述的含薁环的化合物，其特征在于，所述含薁环的化合物是具有如下任意一种结构的化合物：

8.根据权利要求1所述的含薁环的化合物，其特征在于，所述含薁环的化合物是具有如下任意一种结构的化合物：

9.根据权利要求1所述的含薁环的化合物，其特征在于，所述含薁环的化合物的最低单重态能级S1与最低三重态能级T1之间的能级差ΔE_st＝E_S1-E_T1≤0.3eV。

10.一种如权利要求1-9任一项所述的含薁环的化合物的用途，其特征在于，所述含薁环的化合物用作热活化延迟荧光材料。

11.一种有机光电装置，其特征在于，所述有机光电装置包括阳极、阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的一层或多层有机薄膜层；

且至少一层所述有机薄膜层中含有权利要求1-9任一项所述的含薁环的化合物。

12.根据权利要求11所述的有机光电装置，其特征在于，所述有机薄膜层中至少包括一层发光层；

所述发光层包括主体材料和客体材料，所述发光层的主体材料或客体材料包括权利要求1-9任一项所述的含薁环的化合物。

13.根据权利要求12所述的有机光电装置，其特征在于，所述有机薄膜层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层中的一种或至少两种的组合。

14.根据权利要求12所述的有机光电装置，其特征在于，所述有机光电装置包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极；

所述发光层的客体材料选自权利要求1-9任一项所述的含薁环的化合物中的一种或至少两种的组合。