[发明专利]基板处理系统、基板清洗方法有效
申请号: | 201910477249.4 | 申请日: | 2015-07-31 |
公开(公告)号: | CN110265325B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 相原明德;吉田祐希;河野央;山下刚秀;菅野至;望田宪嗣;岛基之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 清洗 方法 | ||
1.一种基板清洗系统,其特征在于,具备:
保持基板的保持部,该基板形成有处理膜,所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于所述有机溶剂的聚合物;和
去除液供给部,对所述基板上的处理膜供给用于去除该处理膜的去除液,
所述去除液供给部具备:剥离处理液供给部,对所述处理膜供给使该处理膜由所述基板剥离的剥离处理液;
所述聚合物具有下述式(1)所示的部分结构:
式(1)中,R1、R2分别独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1~8的烷基或氟代烷基,其中,R1或R2的至少任一个为氟原子或碳原子数1~8的氟代烷基,*表示与构成聚合物的其他原子的结合部位。
2.根据权利要求1所述的基板清洗系统,其特征在于,具备:
冲洗液供给部,对所述基板供给冲洗液;和
控制部,控制一系列基板处理,
所述控制部进行如下处理:通过控制所述剥离处理液供给部和所述冲洗液供给部来对所述处理膜供给所述剥离处理液,之后,对于所述基板供给所述冲洗液。
3.根据权利要求1所述的基板清洗系统,其特征在于,具备:
碱水溶液供给部,对所述基板供给碱水溶液;
冲洗液供给部,对所述基板供给冲洗液;和
控制部,控制一系列基板处理,
所述控制部进行如下处理:通过控制所述剥离处理液供给部、所述碱水溶液供给部和所述冲洗液供给部,对所述处理膜供给所述剥离处理液,之后对所述基板供给所述碱水溶液,之后,对所述基板供给所述冲洗液。
4.根据权利要求1所述的基板清洗系统,其特征在于,所述剥离处理液供给部供给纯水作为所述剥离处理液。
5.根据权利要求1所述的基板清洗系统,其特征在于,所述剥离处理液供给部供给被纯水稀释过的所述有机溶剂作为所述剥离处理液。
6.根据权利要求5所述的基板清洗系统,其特征在于,所述有机溶剂为异丙醇,
作为所述剥离处理液,被稀释至10%以下的浓度。
7.根据权利要求1所述的基板清洗系统,其特征在于,具备成膜处理液供给部,对所述基板供给含有所述有机溶剂和所述聚合物的成膜处理液,
在所述基板上,所述被供给的成膜处理液固化或硬化而形成所述处理膜。
8.一种基板清洗方法,其特征在于,包括:
成膜处理液供给工序:向基板供给成膜处理液,所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于所述有机溶剂的聚合物;和
剥离处理液供给工序:对处理膜供给使该处理膜由所述基板剥离的剥离处理液,所述处理膜是所述成膜处理液在所述基板上固化或硬化而成的;
所述聚合物具有下述式(1)所示的部分结构:
式(1)中,R1、R2分别独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1~8的烷基或氟代烷基,其中,R1或R2的至少任一个为氟原子或碳原子数1~8的氟代烷基,*表示与构成聚合物的其他原子的结合部位。
9.一种存储介质,其特征在于,
其为存储有在计算机上工作且控制基板清洗系统的程序的计算机可读取的存储介质,
所述程序在实施时使计算机控制所述基板清洗系统以进行权利要求8所述的基板清洗方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造