[发明专利]一种高品质的钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备工艺

权利要求书

1.一种高品质的钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备工艺，其特征在于，具体步骤如下：

(1)、清洗：对衬体进行清洗；

(2)、喷丸处理：利用喷丸机对清洗后的衬体进行喷丸处理；

(3)、电化学氧化：将喷丸后的衬体浸润在电解池中进行氧化处理；

(4)、种金刚石晶种：将氧化后的衬体浸入掺硼金刚石晶种液中进行种金刚石；

(5)、化学气相沉积：将种金刚石后的衬体放置于热丝CVD腔室中进行化学气相沉积。

2.根据权利要求1所述的高品质的钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备工艺，其特征在于：步骤(1)中所述衬体的材质为钛或钛合金，所述衬体为网格状或板状结构。

3.根据权利要求1所述的高品质的钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备工艺，其特征在于：步骤(2)中所述喷丸处理的压力范围为1-10bar，所述喷丸处理中的喷丸为陶瓷颗粒，所述喷丸的粒径范围为1-2000μm。

4.根据权利要求1所述的高品质的钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备工艺，其特征在于：步骤(3)中所述电化学氧化的时间范围为1-20min，所述衬体与所述电解池的正极相连，所述电解池中的电解液为中性或者碱性电解液，所述电解池的负极为不锈钢电极或碳电极，所述电解池的电源为交流电源或直流电源，所述电解池的电压范围为25-285V，所述电解池的电流密度为0.01-500mA/cm^-2。

5.根据权利要求4所述的高品质的钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备工艺，其特征在于：所述电解液为氢氧化钠、氢氧化钾、磷酸钠和硫酸钠溶液中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的高品质的钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备工艺，其特征在于：步骤(4)中所述掺硼金刚石晶种液放置于超声池中，所述衬体浸入所述掺硼金刚石晶种液中的时间范围为15-30min。

7.根据权利要求1所述的高品质的钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备工艺，其特征在于：步骤(5)中所述化学气相沉积的时间范围为30-480min，所述热丝CVD腔室内的压力范围为10-30mbar，所述热丝CVD腔室内的热丝为钽丝或钨丝，所述热丝CVD腔室内的气体为氢气、甲烷和三甲基硼烷。

8.根据权利要求7所述的高品质的钛基掺硼金刚石薄膜电极的制备工艺，其特征在于：所述氢气的流量范围为300-800sccm，所述甲烷的流量范围为1-30sccm，所述三甲基硼烷的流量范围为1-30sccm。