[发明专利]一种单极型纳米刀治疗装置

权利要求书

1.一种单极型纳米刀治疗装置，其特征在于，包括：

单个消融电极；

若干中性电极，可通过导体与所述消融电极构成回路；

脉冲发生器，用于向所述消融电极与所述中性电极之间施加脉冲电压。

2.根据权利要求1所述的单极型纳米刀治疗装置，其特征在于，所述消融电极选用单根电极针。

3.根据权利要求1所述的单极型纳米刀治疗装置，其特征在于，所述脉冲发生器包括：

高速脉宽调制控制器IC₁、第一双通道栅极驱动器IC₂与第二双通道栅极驱动器IC₃，所述高速脉宽调制控制器IC₁的输出端口分别连接至所述第一双通道栅极驱动器IC₂和所述第二双通道栅极驱动器IC₃的输入端，所述高速脉宽调制控制器IC₁的软启动端口连接有触发脉冲电路，所述第一双通道栅极驱动器IC₂连接有三极管Q_A和三极管Q_B，且连接构成第一半桥臂，所述第二双通道栅极驱动器IC₃连接有三极管Q_C和三极管Q_D，且连接构成第二半桥臂；所述第一双通道栅极驱动器IC₂和所述第二双通道栅极驱动器IC₃供电端分别连接有二极管D₁和二极管D₂，所述第一半桥臂和所述第二半桥臂的结点经过电感L₁与变压器T₁的初级线圈相连接，所述脉冲发生器还包括二极管D₃,D₄,D₅和D₆，所述二极管D₃,D₄,D₅和D₆构成全波整流电路，并连接至所述变压器T₁的次级线圈，所述全波整流电路还连接有Π型LC滤波器，所述Π型LC滤波器连接至所述脉冲发生器的脉冲电压输出端。

4.根据权利要求3所述的单极型纳米刀治疗装置，其特征在于，所述第一双通道栅极驱动器IC₂与第二双通道栅极驱动器IC₃均选用隔离式场效应管驱动器UCC20520。

5.根据权利要求3所述的单极型纳米刀治疗装置，其特征在于，所述二极管D₁和二极管D₂均为自举二极管。

6.根据权利要求3所述的单极型纳米刀治疗装置，其特征在于，所述高速脉宽调制控制器IC₁选用UC3825型高速PWM控制器。

7.根据权利要求3所述的单极型纳米刀治疗装置，其特征在于，所述三极管Q_A、三极管Q_B和三极管Q_C均选用CM0025120D碳化硅功率MOSFET。