[发明专利]一种多芯片LED器件封装方法及系统有效
申请号: | 201910559899.3 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN110276143B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 陈焕庭;陈景东;陈赐海;林洁;沈雪华 | 申请(专利权)人: | 闽南师范大学 |
主分类号: | G06F30/39 | 分类号: | G06F30/39;H01L33/48;H01L25/075 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 刘凤玲 |
地址: | 363000 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 led 器件 封装 方法 系统 | ||
本发明公开一种多芯片LED器件封装方法及系统,涉及LED器件封装技术领域,主要包括建立以多芯片LED器件内部芯片之间的横向间距和纵向间距为优化变量,以多芯片LED器件的平均温度最小和努塞尔值最小为目标的优化函数;初始化染色体集合;其中,一个染色体表示一组多芯片LED器件的几何结构参数;根据优化函数和染色体集合,采用遗传算法迭代计算多芯片LED器件的最优几何结构参数;判断最优几何结构参数是否在实际几何结构参数范围内,若是则采用最优几何结构参数封装多芯片LED器件,若否则返回初始化染色体集合步骤。本发明解决了在多芯片LED器件封装过程中热流聚集效应,达到降低平均结温的目的。
技术领域
本发明涉及LED器件封装技术领域,特别是涉及一种多芯片LED器件封装方法及系统。
背景技术
在多芯片LED器件中,需要将若干个芯片集成在同一器件中。由于各个芯片热学通道之间存在热耦合影响,LED器件内部的热流分布为非均匀分布,热流聚集区域的温度最高,该区域的LED器件失效最快,降低LED器件输出光通量,进而影响到整个多芯片LED器件的可靠性,从而严重降低LED器件寿命,加速器件失效。因此对于多芯片LED器件来说,如何有效设计散热方案一直受到国内外相关研究小组普遍关注。
罗小兵教授等人提出微型阵列冷却系统,2×2阵列LED系统输入电功率为5.6W条件下,热沉温度在两分钟内升至72℃,当微型泵气流速率为9.7ml/s时,热沉温度可控制在36.7℃,采用数值模拟方法计算80W LED路灯热场,获得结温达到120℃条件下的系统环境温度范围。Jang教授课题组采用有限体积法设计空气对流冷却系统,当空气循环速率从0-120km/h递增,30颗LED阵列系统的结温可从70.6℃降至30.3℃。Kim课题组采用FLOTHERM分析了热管对LED阵列的散热效果,当空气流动速率7m/s,可将系统的温度从87.6℃降至63.3℃。由此可见散热问题是多芯片LED器件进入照明领域的一个重要的技术瓶颈。
发明内容
本发明的目的是提供一种多芯片LED器件封装方法及系统,通过优化设计多芯片LED器件内部芯片之间的相互距离,解决了在多芯片LED器件封装过程中热流聚集效应,达到降低平均结温的目的。
为实现上述目的,本发明提供了如下方案:
一种多芯片LED器件封装方法,包括:
建立目标优化函数;所述目标优化函数是以多芯片LED器件内部芯片之间的横向间距和纵向间距为优化变量,以多芯片LED器件平均温度最小和多芯片LED器件努塞尔值最小为目标建立的函数;
初始化染色体集合;所述染色体集合包括多个染色体,一个所述染色体代表一组多芯片LED器件的几何结构参数,且每个所述染色体代表不同的多芯片LED器件的几何结构参数;
根据所述目标优化函数和所述染色体集合,采用遗传算法迭代计算多芯片LED器件的最优几何结构参数;
判断所述最优几何结构参数是否在多芯片LED器件的实际几何结构参数范围内,得到第一判断结果;
若所述第一判断结果表示所述最优几何结构参数在多芯片LED器件的实际几何结构参数范围内,则采用所述最优几何结构参数封装多芯片LED器件;
若所述第一判断结果表示所述最优几何结构参数未在多芯片LED器件的实际几何结构参数范围内,则返回初始化染色体集合步骤。
可选的,所述优化目标函数为
其中,N表示多芯片LED器件内部芯片的个数,Ti表示第i芯片的结温,NuD表示多芯片LED器件的努塞尔值。
可选的,多芯片LED器件内部芯片个数的计算公式为
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