[发明专利]一种显示装置有效
申请号: | 201910561419.7 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN110176484B | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 张国君;梅文娟;李纪;史高飞;李朋;黄炯;胡文成;祝政委 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1333;G06K9/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,具有显示区,所述显示区包括纹路识别区;所述纹路识别区包括多个子像素区域和位于相邻所述子像素区域之间的非子像素区域;
所述显示装置包括发光结构、设置于所述发光结构出光侧的第一调光结构和多个间隔设置的纹路识别单元,多个所述纹路识别单元位于所述第一调光结构背离所述发光结构一侧;多个所述纹路识别单元位于所述非子像素区域;
所述第一调光结构包括第一调光部和第二调光部,所述第一调光部位于所述子像素区域,所述第二调光部位于所述非子像素区域,所述纹路识别单元在所述发光结构上的正投影与所述第二调光部在所述发光结构上的正投影重叠;
在纹路检测阶段,至少所述第二调光部透光;
在显示阶段,所述第一调光部透光,所述第二调光部遮光。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括设置于多个所述纹路识别单元背离所述第一调光结构一侧的第二调光结构,所述第二调光结构设置于所述非子像素区域,且所述第二调光结构在所述发光结构上的正投影覆盖多个所述纹路识别单元在所述发光结构上的正投影;
在所述纹路检测阶段,所述第二调光结构透光;
在所述显示阶段,所述第二调光结构遮光。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,沿所述显示装置的厚度方向,所述第一调光结构包括依次层叠设置的第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、以及第一调光层;
所述第一电极层包括多个间隔设置的第一电极,所述第二电极层包括多个间隔设置的第二电极;所述第一电极与所述第二电极一一对应,且所述第一电极和与其对应的所述第二电极在所述发光结构上的正投影重叠;
所述第一调光层包括第一调光单元和第二调光单元;所述第一调光单元位于所述子像素区域,所述第二调光单元位于所述非子像素区域;每个所述第一调光单元和每个所述第二调光单元均与一个所述第二电极对应且直接接触,在所述第一电极与所述第二电极之间的电压的作用下,所述第一调光单元和所述第二调光单元的透光率发生变化;
沿所述显示装置的厚度方向,所述第二调光结构包括依次层叠设置的第三电极层、第二绝缘层、第四电极层、以及第二调光层,所述第二调光层与所述第四电极层直接接触;
在所述第三电极层与所述第四电极层之间的电压的作用下,所述第二调光层的透过率发生变化。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,第一调光层和所述第二调光层的材料包括电致发光材料或蓝相液晶。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述纹路识别区的面积小于所述显示区的面积。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示装置,其特征在于,在所述纹路检测阶段,所述第一调光部透光。
7.根据权利要求1-5任一项所述的显示装置,其特征在于,在所述纹路检测阶段,与任意一个透光的所述第一调光部相邻的所述第一调光部遮光。
8.根据权利要求1-5任一项所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置为自发光显示装置;
所述发光结构包括多个发光器件。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述纹路识别区的面积等于显示区的面积;
所述发光器件发出的光为白光;所述显示装置还包括设置于所述发光器件的显示侧的彩色滤光层,所述彩色滤光层包括多个间隔设置的色阻单元;所述第二调光部在所述彩色滤光层上的正投影位于相邻所述色阻单元之间;
在所述显示阶段,所述第二调光部复用作所述显示装置中的黑矩阵。
10.根据权利要求1-5任一项所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置为液晶显示装置;所述纹路识别区的面积等于显示区的面积;
在所述显示阶段,所述第二调光部复用作所述液晶显示装置中的黑矩阵。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的