[发明专利]倒装芯片型发光二极管芯片及包括其的发光装置

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

第一导电型半导体层；

台面，配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上，包括活性层及第二导电型半导体层；

透明电极，欧姆接触到所述第二导电型半导体层上；

第一电流扩散器，与所述台面邻接而配置到所述第一导电型半导体层上，且欧姆接触到所述第一导电型半导体层；

第二电流扩散器，配置到所述透明电极上而电连接到所述透明电极；

绝缘层，覆盖所述第一导电型半导体层、所述台面、所述透明电极、所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器，并具有使所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器的一部分露出的开口部，且包括分布布拉格反射器；以及

第一焊垫电极及第二焊垫电极，位于所述绝缘层上，通过所述开口部分别连接到所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器，且

所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器分别具有连接垫及从所述连接垫延伸的较长的形状的延伸部，

所述第一电流扩散器与所述台面之间的横向相隔距离大于所述绝缘层的厚度，

所述第一电流扩散器包括平坦的下表面、平坦的上表面及位于所述平坦的上表面的两侧的一侧侧面与另一侧侧面，所述一侧侧面较所述另一侧侧面更靠近地配置到所述台面，所述一侧侧面及所述另一侧侧面分别包括多个倾斜面，所述倾斜面相对于所述第一导电型半导体层的上表面具有55度以下的倾斜角，靠近台面侧的所述一侧侧面长于所述另一侧侧面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述第一电流扩散器的所述一侧侧面及所述另一侧侧面分别具有宽于所述平坦的上表面的宽度，

所述第一电流扩散器的所述一侧侧面整体较所述另一侧侧面更平缓。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述第一电流扩散器的所述一侧侧面及所述另一侧侧面分别包括从所述下表面到所述上表面依序相接的第一侧面、第二侧面及第三侧面，所述第二侧面较所述第一侧面及所述第三侧面更平缓且具有更大的宽度。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，

在所述一侧侧面中，所述第一侧面较所述第三侧面更陡峭且具有更大的宽度。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，

在所述另一侧侧面中，所述第一侧面较第三侧面更平缓且具有更大的宽度。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述第二电流扩散器包括平坦的下表面、平坦的上表面及位于所述平坦的上表面的两侧的一侧侧面与另一侧侧面，所述一侧侧面与所述另一侧侧面相对于所述平坦的上表面呈非对称。

7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述第二焊垫电极沿横向远离所述第一电流扩散器以不与所述第一电流扩散器重叠。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述第一焊垫电极沿横向远离所述第二电流扩散器以不与所述第二电流扩散器重叠。

9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述第一焊垫电极与所述第一电流扩散器的延伸部局部地重叠。

10.根据权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述第一焊垫电极沿横向远离所述第一电流扩散器的延伸部以不与所述第一电流扩散器的延伸部重叠。

11.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：

衬底，配置在所述第一导电型半导体层的下部，

所述第一导电型半导体层的侧面及所述台面的侧面分别相对于所述衬底的上表面具有小于45度的倾斜角。