[发明专利]倒装芯片型发光二极管芯片及包括其的发光装置有效
申请号: | 201910566516.5 | 申请日: | 2019-06-27 |
公开(公告)号: | CN110649131B | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 李珍雄;金京完;李锦珠 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/36;H01L33/38 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨文娟;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 倒装 芯片 发光二极管 包括 发光 装置 | ||
本发明提供一种发光二极管芯片及具有其的发光装置。一实施例的发光二极管芯片包括:第一导电型半导体层;台面,配置到第一导电型半导体层的一部分区域上,包括活性层及第二导电型半导体层;透明电极,欧姆接触到第二导电型半导体层上;第一电流扩散器,欧姆接触到第一导电型半导体层;第二电流扩散器,电连接到透明电极;绝缘层,覆盖台面、第一电流扩散器及第二电流扩散器,包括分布布拉格反射器;以及第一焊垫电极及第二焊垫电极,位于绝缘层上,分别连接到第一电流扩散器及第二电流扩散器;且第一电流扩散器与台面之间的横向相隔距离大于绝缘层的厚度,靠近台面侧的第一电流扩散器的一侧侧面长于另一侧侧面。
技术领域
本发明涉及一种倒装芯片型发光二极管芯片及包括其的发光装置。
背景技术
发光二极管利用在大型背光单元(Back Light Unit,BLU)、普通照明及电子设备等各种产品,也利用在各种小型家电产品及室内装饰产品。进而,发光二极管不仅简单地用作光源,而且还可用作传达信息、唤起美感的用途等各种用途。
另一方面,为了提供高效率的发光二极管,通常制作倒装芯片型发光二极管。倒装芯片型发光二极管的散热性能优异,可利用反射层提高光提取效率。另外,利用倒装芯片接合合技术,因此可省略接线,从而提高发光装置的稳定性。
以往,倒装芯片型发光二极管为了反射光而通常利用金属反射层。金属反射层一并具有欧姆特性及反射特性,因此可同时达成电连接与光反射。然而,金属反射层的反射率相对较低,因此产生非常大的光损耗。进而,会产生因长时间使用发光二极管而金属反射层的反射率减小的问题。
因此,要求一种可减少因使用金属反射层引起的光损耗的倒装芯片型发光二极管。
发明内容
[发明要解决的问题]
本发明要解决的问题在于提供一种可减少因金属反射层引起的光损耗而提高光效率的倒装芯片型发光二极管芯片及具有其的发光装置。
本发明要解决的另一问题在于提供一种利用具有高反射率的分布布拉格反射器,并且电可靠性优异的倒装芯片型发光二极管芯片及具有其的发光装置。
本发明要解决的又一问题在于提供一种构造简单的小型化的发光二极管芯片及具有其的发光装置。
[解决问题的手段]
根据本发明的一实施例,提供一种发光二极管芯片,其包括:第一导电型半导体层;台面,配置到所述第一导电型半导体层的一部分区域上,包括活性层及第二导电型半导体层;透明电极,欧姆接触到所述第二导电型半导体层上;第一电流扩散器,与所述台面邻接而配置到所述第一导电型半导体层上,且欧姆接触到所述第一导电型半导体层;第二电流扩散器,配置到所述透明电极上而电连接到所述透明电极;绝缘层,覆盖所述第一导电型半导体层、所述台面、所述透明电极、所述第一电流扩散器及所述第二电流扩散器,并具有使所述第一电流扩散器及第二电流扩散器的一部分露出的开口部,且包括分布布拉格反射器;以及第一焊垫电极及第二焊垫电极,位于所述绝缘层上,通过所述开口部分别连接到所述第一电流扩散器及第二电流扩散器;且所述第一电流扩散器及第二电流扩散器分别具有连接垫及从所述连接垫延伸的长条形状的延伸部,所述第一电流扩散器与所述台面之间的横向相隔距离大于所述绝缘层的厚度,所述第一电流扩散器包括平坦的下表面、平坦的上表面及位于所述平坦的上表面的两侧的一侧侧面与另一侧侧面,所述一侧侧面较所述另一侧侧面更靠近地配置到所述台面,所述一侧侧面及另一侧侧面分别包括多个倾斜面,所述倾斜面相对于所述第一导电型半导体层的上表面具有55度以下的倾斜角,靠近所述台面侧的一侧侧面长于所述另一侧侧面。
根据本发明的又一实施例,提供一种发光装置,其包括:基板;以及所述发光二极管芯片,配置在所述基板上;且所述发光二极管芯片以所述第一焊垫电极及第二焊垫电极朝向所述基板的方式倒装芯片接合而成。
[发明效果]
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