[发明专利]低损耗节能电火花成型加工电源有效
申请号: | 201910585199.1 | 申请日: | 2019-07-01 |
公开(公告)号: | CN110315153B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 刘永红;董行;李铭;刘彤;周榆;赵莅龙 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(华东) |
主分类号: | B23H1/02 | 分类号: | B23H1/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266580 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 损耗 节能 电火花 成型 加工 电源 | ||
1.一种低损耗节能电火花成型加工电源,其特征在于,包括:
高压击穿电路、维持电路、低压放电电路、工具电极和工件电极;
其中所述高压击穿电路输出端的正极与保护电阻R6第一端连接,所述保护电阻R6的第二端与所述工具电极连接;所述高压击穿电路输出端的负极与所述工件电极连接。
所述维持电路输出端的正极与所述保护电阻R6第一端连接,所述保护电阻R6的第二端与所述工具电极连接;所述维持电路输出端的负极与所述工件电极连接。
所述低压放电电路输出端的正极与所述保护电阻R6第一端连接,所述保护电阻R6的第二端与所述工具电极连接;所述低压放电电路输出端的负极与所述工件电极连接。
2.根据权力要求1所述的低损耗节能电火花成型加工电源,其特征在于:
所述高压击穿电路包括全桥整流滤波电路、全桥移相逆变电路、半桥整流滤波电路、电阻R2、绝缘栅双极型晶体管Q5、二极管D12和二极管D13。
所述全桥整流滤波电路包括交流电源、二极管D1~D4、电容C1、电阻R1。所述二极管D1的负端和所述二极管D3的负端分别与所述二极管D2的正端和所述二极管D4的正端相连,并且与220V交流电源的两极相连,同时,所述二极管D1的正端和所述二极管D3的正端连接,所述二极管D2的负端和所述二极管D4的负端连接,所述电容C1和所述电阻R1组成的并联电路并联于所述二极管D1的正端与所述二极管D2的负端之间,且所述二极管D1的正端接地。
所述全桥移相逆变电路包括绝缘栅双极型晶体管Q1~Q4、二极管D5~D8、电感L1和L2。所述绝缘栅双极型晶体管Q2的源极和所述绝缘栅双极型晶体管Q4的源极连接并且和所述全桥整流滤波电路中所述二极管D2的负端连接,所述绝缘栅双极型晶体管Q1的源极和所述绝缘栅双极型晶体管Q3的源极分别和所述绝缘栅双极型晶体管Q2的漏极和所述绝缘栅双极型晶体管Q4的漏极连接,所述绝缘栅双极型晶体管Q1的漏极和所述绝缘栅双极型晶体管Q3的漏极连接并且和所述全桥整流滤波电路中所述二极管D1的正端连接,所述电感L1与所述电感L2组成的高频变压器并联于所述绝缘栅双极型晶体管Q1的源极和所述绝缘栅双极型晶体管Q3的源极之间。
所述半桥整流滤波电路包括二极管D9~D11、电容C2、电感L3。所述二级管D9的正端和二极管D10的正端分别与所述全桥移向逆变电路的输出端的正极连接,且所述二级管D9的负端和所述二极管D10的负端连接,所述二极管D11并联于所述全桥移向逆变电路的输出端的负极和所述二级管D9的负端,所述二极管D11的正端和所述全桥移向逆变电路的输出端的负极连接,所述二极管D11的负端和所述二极管D10的负端连接,所述电感L3的第一端与所述二级管D11的负端连接,所述电容C2并联于所述全桥移向逆变电路的输出端的负极和所述电感L3的第二端之间。
所述半桥整流滤波电路输出端的负极直接与工件相连,所述半桥整流滤波电路输出端的正极与所述电阻R2第一端连接,绝缘栅双极型晶体管Q5的源极与所述电阻R2的第二端连接,所述绝缘栅双极型晶体管Q5与二极管D12并联,其中所述二极管D12的正端与所述绝缘栅双极型晶体管Q5的漏极连接,所述二极管D12的负端与所述绝缘栅双极型晶体管Q5的源极连接,二极管D13的正端与所述绝缘栅双极型晶体管Q5的漏极连接,所述二极管D13的负端与保护电阻R6的第一端连接,所述保护电阻R6的第二端与所述工具电极连接。
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