[发明专利]基于下粗上细型TSV的嵌套式散热网络结构在审
| 申请号： | 201910591447.3 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110137147A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 马奎;杨发顺;杨勋勇;王勇勇;施建磊;韩志康 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/48 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 商小川 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 底层芯片 中间层 顶层 散热 网络结构 嵌套式 集成功率系统 均匀设置 热稳定性 重叠放置 键合 热层 三维 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于下粗上细型TSV的嵌套式散热网络结构，它包括：顶层芯片、中间层芯片和底层芯片，其特征在于：所述顶层芯片、中间层芯片和底层芯片重叠放置，顶层芯片、中间层芯片和底层芯片通过SiO2与底部铜热层键合在一起；顶层芯片、中间层芯片和底层芯片上均匀设置有散热TSV孔。
2.根据权利要求1所述的一种基于下粗上细型TSV的嵌套式散热网络结构，其特征在于：所述散热TSV孔在底层芯片中TSV孔的半径最大，中间层芯片中TSV孔的半径次之，顶层芯片中TSV孔的半径最小。
3.根据权利要求1所述的一种基于下粗上细型TSV的嵌套式散热网络结构，其特征在于：散热TSV孔有36个，TSV孔与TSV孔之间的距离相等，且三层芯片中的TSV孔中心对齐。
4.根据权利要求1所述的一种基于下粗上细型TSV的嵌套式散热网络结构，其特征在于：散热TSV孔有二层材料；内层未Cu、外层为SiO2。
5.根据权利要求1所述的一种基于下粗上细型TSV的嵌套式散热网络结构，其特征在于：顶层芯片、中间层芯片和底层芯片通过SiO2键合在一起。
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