[发明专利]一种基于双芯片实现的抗辐射高压数模转换系统及方法

权利要求书

1.一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统，其特征在于，包括：数模转换裸片、基准源裸片、薄膜电阻基板、第一管壳金属走线和第二管壳金属走线；

基准源裸片通过第一管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外低温漂基准参考电压值；薄膜电阻基板通过第二管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外参考电阻值；数模转换裸片用于对输入数字信号进行电流型数模转换；

采用联合封装形式，将数模转换裸片、基准源裸片、薄膜电阻基板、第一管壳金属走线和第二管壳金属走线封装在一起；

薄膜电阻基板包括陶瓷基板和印刷在陶瓷基板上的四只薄膜电阻，其中电阻R1用于将参考电压输入转换为参考电流输出，电阻R2、R3、R4用于将数模转换后的转换电流输入转换为转换电压输出。

2.根据权利要求1所述的一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统，其特征在于：数模转换裸片采用抗辐射电流舵型数模转换芯片。

3.根据权利要求1所述的一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统，其特征在于：采用抗辐射基准源裸片。

4.根据权利要求1所述一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统，其特征在于：电阻R2将数模转换后的转换电流输入转换为等幅的转换电压输出。

5.根据权利要求1所述一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统，其特征在于：电阻R3和电阻R4串联连接，将数模转换后的转换电流输入转换为2倍或4倍幅度的转换电压输出。

6.根据权利要求1所述一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统，其特征在于：电阻R2、R3与R4的阻值相同，R1＝2R2，且任意两只电阻的相对精度在千分之一以内。

7.一种根据权利要求1所述基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统实现的数模转换方法，其特征在于步骤如下：

(1)由基准源裸片提供低温漂基准参考电压给数模转换裸片；

(2)由薄膜电阻基板提供参考电阻，将参考电压转换为参考电流，并将该参考电流提供给数模转换裸片；

(3)数模转换裸片依据输入数字信号对参考电流进行组织分配，进行电流型数模转换，得到模拟转换电流；

(4)由薄膜电阻基板提供参考电阻，将模拟转换电流转换为模拟转换电压输出。

8.根据权利要求7所述数模转换方法，其特征在于：所述步骤(2)中参考电压为基准源裸片提供的片外低温漂基准参考电压值通过数模转换裸片提供给薄膜电阻基板。