[发明专利]硅基微显示屏及其制备方法在审
申请号: | 201910665580.9 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN110323359A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 杜晓松;杨小龙;周文斌;张峰;孙剑;高裕弟 | 申请(专利权)人: | 昆山梦显电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人: | 尹丽 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微显示屏 发光层 硅基 像素定义层 驱动背板 封装层 高像素 制备 金属反射层 金属掩膜板 物理极限 封装 | ||
本发明提供了一种硅基微显示屏及其制备方法。所述硅基微显示屏包括驱动背板、形成于所述驱动背板上的像素定义层、形成于所述像素定义层内的发光层、用于封装所述发光层的封装层以及形成于所述发光层与所述封装层之间的金属反射层。相较于现有技术,本发明突破了高像素密度的高精度金属掩膜板的物理极限,可实现2000及更高像素密度的显示。
技术领域
本发明涉及一种硅基微显示屏及其制备方法,属于显示面板制备领域。
背景技术
目前的OLED显示屏体大多采用蒸镀不同OLED材料实现OLED图形化,这种方法在像素密度低于700时是没有问题的,但是当像素密度高于800时,现有的制造技术将进入物理瓶颈。
因此,实现高像素密度的多彩显示,是目前急需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅基微显示屏及其制备方法,该制备方法可以突破现有蒸镀图形化的物理极限,实现高像素密度的显示。
为实现上述目的,本发明提供了一种硅基微显示屏,包括驱动背板、形成于所述驱动背板上的像素定义层、形成于所述像素定义层内的发光层以及用于封装所述发光层的封装层,所述硅基微显示屏还包括形成于所述发光层与所述封装层之间的金属反射层。
作为本发明的进一步改进,所述驱动背板包括硅基底和形成于所述硅基底一侧面的阳极层,所述发光层以电流体打印的方式形成于所述像素定义层内并位于所述阳极层的上方。
作为本发明的进一步改进,所述像素定义层采用黄光工艺和刻蚀工艺形成,并使得所述阳极层暴露于所述像素定义层。
作为本发明的进一步改进,所述封装层包括薄膜封装层,所述薄膜封装层完全覆盖所述金属反射层。
作为本发明的进一步改进,所述封装层还包括玻璃盖板,所述玻璃盖板封装在所述薄膜封装层的顶部并完全覆盖所述薄膜封装层。
为实现上述目的,本发明还提供了一种硅基微显示屏制备方法,包括以下步骤:
S1:提供一硅基底,在所述硅基底上蒸镀阳极层;
S2:在所述硅基底和阳极层上镀膜,以形成像素定义层;
S3:采用黄光工艺和刻蚀工艺,刻蚀所述像素定义层;
S4:采用电流体打印技术,在所述像素定义层内形成发光层;
S5:在所述发光层和像素定义层上形成金属反射层;
S6:对所述金属反射层进行封装,以获得硅基微显示屏。
作为本发明的进一步改进,步骤S3中刻蚀工艺后,所述阳极层暴露于所述像素定义层,所述发光层形成于所述阳极层上。
作为本发明的进一步改进,所述发光层包括相互间隔设置的子像素,所述子像素包括可发出红光的第一子像素、可发出绿光的第二子像素及可发出蓝光的第三子像素。
作为本发明的进一步改进,所述金属反射层还形成于相邻两个子像素之间。
作为本发明的进一步改进,所述步骤S6具体包括:
S61:采用薄膜封装技术,在所述金属反射层上形成薄膜封装层;
S62:采用玻璃盖板对所述薄膜封装层进行封装。
本发明的有益效果是:本发明的硅基微显示屏通过在发光层与封装层之间形成金属反射层,从而可以防止发光层产生光串扰;进一步采用黄光、刻蚀工艺实现高像素的微显示屏图形化,突破了高像素密度的高精度金属掩膜板的物理极限,可实现2000及更高像素密度的显示。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择