[发明专利]基底干燥方法、显影方法、光刻方法和基底干燥系统在审
| 申请号： | 201910722297.5 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111190331A | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 金伶厚;李根泽;赵庸真;高次元;朴晟见;李晓山;车知勋;崔秀瑛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;G03F7/30;G03F7/32 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 陈亚男;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底 干燥 方法 显影 光刻 系统 | ||
1.一种基底干燥方法，所述基底干燥方法包括：
在基底上提供干燥液体；
增大干燥液体的压力以产生超临界流体；以及
去除超临界流体以干燥基底。
2.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
在提供干燥液体之前，在基底上提供润湿液体。
3.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括：
在提供润湿液体之后，翻转润湿液体中的基底。
4.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括：
在去除超临界流体之后，重新翻转基底。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，润湿液体具有高于干燥液体的密度的密度。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，润湿液体包括去离子水。
7.根据权利要求2所述的方法，所述方法还包括：
在提供干燥液体之后，排出润湿液体。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，
干燥液体包括液态二氧化碳，以及
超临界流体包括超临界二氧化碳。
9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：
在基底上提供干燥气体。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，干燥气体包括二氧化碳气体。
11.一种显影方法，所述显影方法包括：
在基底上提供显影溶液；
在基底上提供冲洗溶液以去除显影溶液；以及
通过去除冲洗溶液干燥基底，
其中，干燥基底的步骤包括：
在基底上提供干燥液体；
增大干燥液体的压力以产生超临界流体；以及
去除超临界流体以干燥基底。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，
显影溶液包括四甲基氢氧化铵，并且
冲洗溶液包括去离子水。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，干燥基底的步骤还包括：
在提供干燥液体之前，在基底上提供润湿液体，润湿液体是与冲洗溶液相同的材料；以及
在提供干燥液体之后，排出润湿液体。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，
显影溶液包括非极性溶剂，并且
冲洗溶液包括醋酸正丁酯。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，干燥基底的步骤还包括在基底上提供干燥气体，并且干燥气体的压力高于干燥气体的三相点的压力。
16.一种光刻方法，所述光刻方法包括：
在基底上形成光致抗蚀剂；
将光致抗蚀剂的一部分暴露于光；以及
将光致抗蚀剂显影以在基底上形成光致抗蚀剂图案，
其中，将光致抗蚀剂显影的步骤包括：
在基底上提供显影溶液；
在基底上提供冲洗溶液以去除显影溶液；
以及
通过去除冲洗溶液来干燥基底，并且
干燥基底的步骤包括：
在基底上提供干燥液体；
增大干燥液体的压力以产生超临界流体；以及
去除超临界流体以干燥基底。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，
光致抗蚀剂包括正型光致抗蚀剂，
显影溶液包括四甲基氢氧化铵，并且
冲洗溶液包括去离子水。
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