[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第1导电型的第1半导体区域，设置于上述第1电极的上方，并与上述第1电极电连接；

第2导电型的多个第2半导体区域，设置于上述第1半导体区域的上方；

第1导电型的多个第3半导体区域，分别选择性地设置于上述多个第2半导体区域的上方；

第1导电部，隔着第1绝缘部而设置于上述第1半导体区域中；

栅极电极，设置于上述第1导电部及上述第1绝缘部的上方，并与上述第1导电部分离；以及

第2电极，设置于上述多个第2半导体区域及上述多个第3半导体区域的上方，并与上述多个第2半导体区域、上述多个第3半导体区域及上述第1导电部电连接，

上述栅极电极具有：

第1电极部分，在与从上述第1电极朝向上述第1半导体区域的第2方向垂直的第1方向上，与上述第1半导体区域的一部分、上述多个第2半导体区域中的一个第2半导体区域及上述多个第3半导体区域中的一个第3半导体区域隔着第1栅极绝缘部而对置；和

第2电极部分，在上述第1方向上位于上述第1电极部分与上述多个第3半导体区域中的另一个第3半导体区域之间，并与上述第1半导体区域中的另一部分、上述多个第2半导体区域中的另一个第2半导体区域及上述多个第3半导体区域中的上述另一个第3半导体区域隔着第2栅极绝缘部而对置，

在上述第1电极部分与上述第2电极部分之间，设置有包含空隙的第2绝缘部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备第2导电部，

该第2导电部设置于上述第2绝缘部中，并与上述第1导电部及上述栅极电极分离。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述第2导电部与上述第2电极电连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第2绝缘部具有：

包含上述空隙的第1绝缘部分；以及

第2绝缘部分，在与上述第1方向及上述第2方向垂直的第3方向上与上述第1绝缘部分并排，且不包含上述空隙。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具备第2导电部，该第2导电部设置于上述第2绝缘部中，并与上述第1导电部及上述栅极电极分离，

上述第2绝缘部具有：

包含上述空隙的第1绝缘部分；以及

第3绝缘部分，在与上述第1方向及上述第2方向垂直的第3方向上与上述第1绝缘部分并排，包含上述第2导电部，且不包含上述空隙。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

上述栅极电极还具有第3电极部分，该第3电极部分设置于上述第2绝缘部的上方，

上述第3电极部分与上述第1电极部分的上部及上述第2电极部分的上部连接。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第2绝缘部包含杂质，

上述第2绝缘部中的杂质浓度比上述第1绝缘部中的杂质浓度高。