[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第1导电型的多个第3半导体区域、第1导电部、栅极电极及第2电极。多个第2半导体区域设置于第1半导体区域的上方。多个第3半导体区域分别选择性地设置于多个第2半导体区域的上方。第1电极隔着第1绝缘部而设置于第1半导体区域中。栅极电极设置于第1导电部及第1绝缘部的上方，并与第1导电部分离。栅极电极具有第1电极部分及第2电极部分。第2电极部分在第1方向上位于第1电极部分与多个第3半导体区域中的另一个第3半导体区域之间。在第1电极部分与第2电极部分之间设置有包含空隙的第2绝缘部。

关联申请

本申请享受以日本专利申请2019－31208号(申请日：2019年2月25日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部的内容。

技术领域

实施方式主要涉及半导体装置。

背景技术

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等的半导体装置被用于电力变换等中。希望半导体装置的消耗电力较小。

发明内容

实施方式提供能够减少消耗电力的半导体装置。

实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第1导电型的多个第3半导体区域、第1导电部、栅极电极及第2电极。上述第1半导体区域设置于上述第1电极的上方，与上述第1电极电连接。上述多个第2半导体区域设置于上述第1半导体区域的上方。上述多个第3半导体区域分别选择性地设置于上述多个第2半导体区域的上方。上述第1导电部隔着第1绝缘部而设置于上述第1半导体区域中。上述栅极电极设置于上述第1导电部及上述第1绝缘部的上方，并与上述第1导电部分离。上述栅极电极具有第1电极部分及第2电极部分。上述第1电极部分在与从上述第1电极朝向上述第1半导体区域的第2方向垂直的第1方向上，隔着第1栅极绝缘部而与上述第1半导体区域的一部分、上述多个第2半导体区域中的一个第2半导体区域及上述多个第3半导体区域中的一个第3半导体区域对置。上述第2电极部分在上述第1方向上位于上述第1电极部分与上述多个第3半导体区域中的另一个第3半导体区域之间，上述第1半导体区域中的另一部分隔着第2栅极绝缘部而与上述多个第2半导体区域中的另一个第2半导体区域及上述多个第3半导体区域中的上述另一个第3半导体区域对置。在上述第1电极部分与上述第2电极部分之间，设置有包含空隙的第2绝缘部。上述第2电极设置于上述多个第2半导体区域及上述多个第3半导体区域的上方，并与上述多个第2半导体区域、上述多个第3半导体区域及上述第1导电部电连接。

附图说明

图1是表示实施方式的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图2A～图4B是表示实施方式的半导体装置的制造工序的工序剖视图。

图5是表示将实施方式的半导体装置的栅极电极附近放大的剖视图。

图6是表示第1变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图7是表示第1变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图8A～图8D是表示第1变形例的半导体装置的制造工序的剖视图。

图9是表示第2变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图10是表示第2变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图11是表示第2变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。

图12是表示第3变形例的半导体装置的一部分的立体剖视图。

具体实施方式