[发明专利]一种半导体制冷制热芯片结构

权利要求书

1.一种半导体制冷制热芯片结构，其特征在于，其包括制冷面和制热面，所述制冷面和制热面分别安装有N型半导体和P型半导体，所述N型半导体和P型半导体串联连接并形成上下排列分布；所述N型半导体和P型半导体之间通过绝热板进行固定。

2.如权利要求1所述的半导体制冷制热芯片结构，其特征在于，所述N型半导体和P型半导体通过导体串联连接。

3.如权利要求2所述的半导体制冷制热芯片结构，其特征在于，所述N型半导体和P型半导体分别置于上下两层。

4.如权利要求2所述的半导体制冷制热芯片结构，其特征在于，所述N型半导体均置于上层或下层，所述P型半导体分别置于下层或上层。

5.如权利要求2所述的半导体制冷制热芯片结构，其特征在于，所述导体包括柱形导体和片形导体；所述片形导体包括第一片形导体和第二片形导体；所述P型半导体与N型半导体分别与所述第一片形导体和第二片形导体导电连接；所述第一片形导体和第二片形导体之间通过所述柱形导体导电连接。

6.如权利要求5所述的半导体制冷制热芯片结构，其特征在于，所述绝热板设有用于容纳所述N型半导体和P型半导体的通孔；所述柱形导体设有于所述通孔大小相配合的过孔导体。

7.如权利要求1-6任一项所述的半导体制冷制热芯片结构，其特征在于，所述导体是金属导体或石墨烯。

8.如权利要求1所述的半导体制冷制热芯片结构，其特征在于，所述芯片包括两个或两个以上的P型半导体，以及两个或两个以上的N型半导体；所述P型半导体和所述N型半导体交错间隔连接并形成串联电路。

9.如权利要求8所述的半导体制冷制热芯片结构，其特征在于，所述芯片还包括负电极和正电极；所述负电极与其中一所述的P型半导体的一端相连接；所述正电极与其中一所述的N型半导体的一端相连接。

10.如权利要求1所述的半导体制冷制热芯片结构，其特征在于，其还包括固定隔热板，所述固定隔热板夹设于所述绝热板与所述制冷面之间；或者所述固定隔热板夹设于所述绝热板与所述制热面之间；或者固定隔热板分别夹设于所述绝热板与所述制冷面，以及所述绝热板与所述制热面之间。