[发明专利]阵列基板和显示面板有效
申请号: | 201910767787.7 | 申请日: | 2019-08-20 |
公开(公告)号: | CN110610961B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 周阳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
本发明提供一种阵列基板和显示面板。种阵列基板定义有弯折区和非弯折区。所述非弯折区包括层叠设置的柔性衬底层、复合缓冲层、源漏极层、平坦层和像素定义层;所述弯折区包括层叠设置的柔性衬底层、源漏极层、平坦层和像素定义层,或者位于所述弯折区的所述复合缓冲层的厚度小于位于所述非弯折区的所述复合缓冲层的厚度。显示面板包括上述阵列基板。本发明通过减少金属走线与基板之间的距离,使所述源漏极层接近甚至达到应力平衡线,从而让金属走线减少受到的应力,甚至基本不受自身应力。金属走线不受应力,则其断裂风险降低,屏幕的耐弯折能力上升。
技术领域
本发明涉及显示领域,尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
随着有机发光二极管(OLED)事业的蓬勃兴起,可折叠产品正走向兴盛,而在这其中弯折技术成为制约产品进一步发展的瓶颈。
如图1所示,图1为现有的一种阵列基板经弯折后的结构示意图。其中阵列基板90包括弯折区91和非弯折区92,所述阵列基板90包括层叠设置的柔性衬底层901、复合缓冲层902、源漏极层903、平坦层904和像素定义层905。通常弯折区91在弯折后由于阵列基板90厚度一般在12-20um,而位于弯折区91的金属走线(即源漏极层903)厚度为0.6-1um,金属走线上面膜层厚度一般在3-4um左右,如图1中虚线所示为弯折后的应力平衡线(也称中性面)93,所述应力平衡线93是指弯折时既不存在压应力亦不存在张应力的位置,该处应力为零。但是经弯折后应力平衡线93在所述源漏极层下侧,这样位于弯折区的金属走线就会产生应力,从而易产生裂纹或断裂。
在现有技术中,为解决上述问题,当弯折区进行弯折时,通常弯折角呈对称平滑弯曲。但实际上,因为弯折制程能力不足、外力干扰等影响,导致弯折角并非理想状态,会出现弯折角向内形变,或弯折角向一边偏移,从而使得弯折区的所述源漏极层应力集中加大,进而造成产生裂纹或断裂,且裂纹延伸后贯穿线路的整个横截面,从而信号传递失败,导致画面出现异常。
如果不解决线路裂纹,那么良率无法保障,量产也就没有可行性。因此,有必要提供一种新的阵列基板和显示面板,以克服现有技术中存在的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种阵列基板和显示面板,通过减少金属走线与基板之间的距离,使所述源漏极层接近甚至达到应力平衡线,从而让金属走线减少自身应力,甚至基本不产生应力。金属走线不存在应力,则其断裂风险降低,屏幕的耐弯折能力上升。
为了解决上述问题,本发明其中一实施例中提供一种阵列基板,定义有弯折区和非弯折区。所述非弯折区包括层叠设置的柔性衬底层、复合缓冲层、源漏极层、平坦层和像素定义层;具体地讲,所述复合缓冲层位于所述柔性衬底层上;所述源漏极层位于所述复合缓冲层上;所述平坦层位于所述源漏极层上;所述像素定义层位于所述平坦层上。其中所述弯折区包括层叠设置的柔性衬底层、源漏极层、平坦层和像素定义层;具体地讲,所述源漏极层位于所述柔性衬底层上;所述平坦层位于所述源漏极层上;所述像素定义层,位于所述平坦层上。
进一步的,其中所述复合缓冲层与所述弯折区相对应的一侧还设有有机层;所述非弯折区还包括有一有机层,所述有机层邻近所述弯折区,所述有机层的一部分覆盖所述多缓冲层而另一部分形成于所述柔性衬底层上。
进一步的,其中所述源漏极层覆盖所述有机层。
进一步的,其中所述有机层的材料包括氧化脱氢有机物、聚酰亚胺树脂或硅氧烷。
进一步的,其中所述复合缓冲层包括层叠设置的缓冲层和屏障层。具体地讲,所述缓冲层位于所述柔性衬底层上;所述屏障层位于所述缓冲层上;其中所述源漏极层位于所述屏障层上。
进一步的,其中所述柔性衬底层的材料为聚酰亚胺。
进一步的,其中所述像素定义层上还包括支撑层。
进一步的,其中位于所述非弯折区的所述像素定义层上还包括发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的