[发明专利]子像素结构、有机发光二极管显示屏及其制造方法在审
申请号: | 201910770562.7 | 申请日: | 2019-08-20 |
公开(公告)号: | CN110610963A | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 龚文亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光二极管显示屏 彩膜 像素结构 制程 封装 强光 子像素结构 负面影响 种子像素 半球形 出光率 反射率 偏光片 有效地 烘烤 显影 回避 曝光 制造 | ||
一种子像素结构、有机发光二极管显示屏及其制造方法。所述子像素结构包括封装段子像素结构及设置在所述封装段子像素结构的出光面上的彩膜,其中所述彩膜为半球形,以达到降低有机发光二极管显示屏厚度,提升有机发光二极管显示屏出光率,回避彩膜制程中曝光、显影、后烘烤制程的负面影响以及不需设置偏光片亦能有效地降低强光下的反射率的效果。
【技术领域】
本揭示涉及显示技术领域,具体涉及子像素结构、有机发光二极管显示屏及其制造方法。
【背景技术】
在现有技术中,为满足有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示屏的运作需求,常通过设置偏光片降低强光下显示屏的反射率。
然而,虽然通过设置偏光片可降低强光下面板的反射率,但也会大量损失有机发光二极管显示屏的出光,这一缺点会极大地增加有机发光二极管显示屏的负担,降低显示屏的使用寿命。另一方面,偏光片厚度较大、材质脆,不利于动态弯折产品的开发。
故,有需要提供一种新的子像素结构、有机发光二极管显示屏及其制造方法,以解决现有技术存在的问题。
【发明内容】
为解决上述问题,本揭示提出一种子像素结构、有机发光二极管显示屏及其制造方法,其可达到降低有机发光二极管显示屏厚度,提升出光率,回避彩膜制程中曝光、显影、后烘烤制程的负面影响以及达到不需设置偏光片亦能有效地降低强光下有机发光二极管显示屏的反射率的效果。
为达成上述目的,本揭示提供一种子像素结构,包括封装段子像素结构;彩膜,设置在所述封装段子像素结构上表面的出光面上,所述彩膜为半球形。
于本揭示其中的一实施例中,所述子像素结构还包含黑色矩阵,所述黑色矩阵设置在所述封装段子像素结构未设置所述彩膜的其他部份的出光面上。
为达成上述目的,本揭示还提供一种有机发光二极管显示屏,包括封装段有机发光二极管面板,所述封装段有机发光二极管面板包含红色子像素结构,绿色子像素结构及蓝色子像素结构;红色彩膜,设置在所述红色子像素结构的出光面上,所述红色彩膜为半球形;绿色彩膜,设置在所述绿色子像素结构的出光面上,所述绿色彩膜为半球形;以及蓝色彩膜,设置在所述蓝色子像素结构的出光面上,所述蓝色彩膜为半球形。
于本揭示其中的一实施例中,还包含黑色矩阵,所述黑色矩阵设置在所述封装段有机发光二极管面板未设置所述红色彩膜、所述绿色彩膜及所述蓝色彩膜的其他部份的出光面上。
于本揭示其中的一实施例中,所述红色彩膜、所述绿色彩膜及所述蓝色彩膜分别包括红色墨水层、绿色墨水层及蓝色墨水层。
于本揭示其中的一实施例中,所述黑色矩阵包括黑色墨水层。
为达成上述目的,本揭示再提供一种有机发光二极管显示屏的制造方法,包括:提供封装段有机发光二极管面板,所述封装段有机发光二极管面板包含红色子像素结构,绿色子像素结构及蓝色子像素结构;在所述红色子像素结构的出光面上设置半球形的红色彩膜;在所述绿色子像素结构的出光面上设置半球形的绿色彩膜;以及在所述蓝色子像素结构的出光面上设置半球形的蓝色彩膜。
于本揭示其中的一实施例中,在设置所述红色彩膜、所述绿色彩膜、所述蓝色彩膜后,还包含在所述封装段有机发光二极管面板未设置所述红色彩膜、所述绿色彩膜及所述蓝色彩膜的其他部份的出光面上设置黑色矩阵。
于本揭示其中的一实施例中,所述红色彩膜、所述绿色彩膜、所述蓝色彩膜是通过喷墨打印方式设置在所述红色子像素结构的所述出光面、所述绿色子像素结构的所述出光面及所述蓝色子像素结构的所述出光面上。
于本揭示其中的一实施例中,所述黑色矩阵是通过喷墨打印方式设置在所述封装段有机发光二极管面板未设置所述红色彩膜、所述绿色彩膜及所述蓝色彩膜的其他部份的出光面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的