[发明专利]一种在应力为零的中性面上制备超柔性光探测器的方法

权利要求书

1.一种在应力为零的中性面上制备超柔性光探测器的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）准备柔性衬底PET：裁剪PET，用丙酮、乙醇和去离子水各超声清洗5分钟后吹干，放置在加热台上烘烤使PET表面平整，将烘烤平整的PET放到等离子清洗机中高档清洗15分钟后取出；

（2）II - VI族半导体材料的蒸镀：将清洗后的PET用高温胶带贴好固定在电子束蒸发镀膜机腔体的蒸发基板上，利用电子束蒸发镀膜法，在60-100摄氏度下在PET上蒸镀II -VI族半导体材料，PET上制备出II - VI族半导体薄膜；

（3）II - VI族半导体薄膜光探测器的构筑：将蒸镀有II - VI族半导体薄膜的PET固定在电极掩膜板上，确定蒸镀电极的区域后，利用高温胶带将电极掩膜板粘贴固定在电子束蒸发镀膜机腔体的蒸发基板上，调节镀电极参数，蒸镀10 nm Cr/100 nm Au作为电极，构筑出II - VI族半导体薄膜光探测器件；

（4）器件上层粘贴PET：裁剪与步骤（1）中PET厚度相同的PET，利用匀胶机在PET表面旋涂上一层透明的UV 胶水，PET覆盖胶水的一面粘贴在步骤（3）中构筑好的光探测器件上表面，用365 nm的紫外灯照射PET三分钟，等待24小时使胶水风干固化。

2.根据权利要求1所述的一种在应力为零的中性面上制备超柔性光探测器的方法，其特征在于：步骤（1）和步骤（4）中的PET的厚度均为100 μm，尺寸均为3.5×3.5 cm。

3.根据权利要求1所述的一种在应力为零的中性面上制备超柔性光探测器的方法，其特征在于：步骤（1）中所述的PET在90 ℃的加热台上烘烤5分钟。

4.根据权利要求1所述的一种在应力为零的中性面上制备超柔性光探测器的方法，其特征在于：步骤（2）中所述的蒸镀的II - VI族半导体薄膜厚度为200 nm，速率为0.3-0.4A/s。

5.根据权利要求1所述的一种在应力为零的中性面上制备超柔性光探测器的方法，其特征在于：所述步骤（3）中蒸镀Cr的速率为0.2-0.3 A/s，蒸镀Au的速率为0.4-0.5 A/s。

6.根据权利要求1所述的一种在应力为零的中性面上制备超柔性光探测器的方法，其特征在于：步骤（3）中所述的电极掩膜板的沟道宽度为50 μm。

7.根据权利要求1所述的一种在应力为零的中性面上制备超柔性光探测器的方法，其特征在于：所述步骤（4）中旋涂UV胶水的转速为2000转/10秒。

8.根据权利要求1所述的一种在应力为零的中性面上制备超柔性光探测器的方法，其特征在于：步骤（4）所述的上层PET宽度小于下层衬底PET宽度，露出光探测器件两边的部分电极。