[发明专利]一种化学晶片的清洗设备及其清洗方法

权利要求书

1.一种化学晶片的清洗设备，其特征在于：其结构包括反应部、清洗药剂混合槽(2)和曝气管(3)，所述反应部内部分别通过上隔板(4)、下隔板(5)将其分隔成缓冲腔(11)、载体反应腔(12)和化学循环腔(13)，所述缓冲腔(11)位于载体反应腔(12)的顶部，所述化学循环腔(13)位于载体反应腔(12)的底部，所述载体反应腔(12)内置有载体，所述载体反应腔(12)的侧壁上固定连接有腔体加热器(12a)，所述下隔板(5)上端面的中部上通过夹具固定有待洗晶片(16)，所述曝气管(3)的数量为2个，且分别固定连接在下隔板(5)上端面的左右两侧上，每一所述曝气管(3)的顶部上开设有等间隔分布的多个小孔，所述曝气管(3)内导入有惰性气体，所述曝气管(3)连接有用于控制气流量的调节阀，所述曝气管(3)能够将载体悬浮进而碰撞待洗晶片(16)，所述上隔板(4)和下隔板(5)上均开设有若干个过滤孔(6)，每一所述过滤孔(6)内均嵌设有滤布(7)，所述清洗药剂混合槽(2)与缓冲腔(11)之间通过抽取泵(8)相连接，所述抽取泵(8)能够将清洗药剂混合槽内的清洁液抽取至缓冲腔(11)中，所述缓冲腔(11)与化学循环腔(13)之间设有循环排放泵(9)、滤罐(10)，所述化学循环腔(13)的一侧面上设置有出流管道(14)，所述出流管道(14)的另一端与循环排放泵(9)相连接，所述缓冲腔(11)的一侧面上设置有进流管道(15)，该进流管道(15)的另一端与滤罐(10)相连接。

2.根据权利要求1所述的一种化学晶片的清洗设备，其特征在于：所述腔体加热器(12a)为电加热管，所述电加热管直接浸入在载体反应腔(12)内，所述电加热管的外表面包覆有PFA管材。

3.根据权利要求1所述的一种化学晶片的清洗设备，其特征在于：所述腔体加热器(12a)为加热贴片，所述加热贴片固定连接在载体反应腔(12)的外表面上。

4.根据权利要求1所述的一种化学晶片的清洗设备，其特征在于：所述惰性气体为CDA压缩空气或氮气中的一种。

5.根据权利要求1所述的一种化学晶片的清洗设备，其特征在于：所述滤布(7)的孔径为5～20um。

6.根据权利要求1所述的一种化学晶片的清洗设备，其特征在于：所述滤罐(10)的滤芯为0.1～0.5um。

7.一种化学晶片的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)、往清洗药剂混合槽(2)中加入配置好的清洁液，其中清洁液由清洁剂、改良剂、错合剂和螯合剂，其中清洁剂与水配置的浓度比例为2～8％，改良剂和错合剂与水配置的浓度比例为2～5％，螯合剂与水配置的浓度比例为3～8％；

2)、通过手部提取载体倒入至载体反应腔(12)中，其中载体为惰性材料；

3)、将待洗晶片(16)放置在载体反应腔(12)中部的夹具中，完成对待洗晶片(16)的固定；

4)、开启抽取泵(8)、循环排出泵(9)、腔体加热器(12a)和曝气管(3)，以完成待洗晶片(16)的清洗过程。

8.根据权利要求7所述的一种化学晶片的清洗方法，其特征在于：所述载体为硅粉，该载体的粒径为40～200um，所述载体与清洁液的浓度比例为5～30％。

9.根据权利要求7所述的一种化学晶片的清洗方法，其特征在于：所述螯合剂为EDTA、胺基多羧酸、膦酸或缩合磷酸中的一种，所述改良剂与错合剂为碳酸钠或氯化钠或磺酸钠中的一种或多种。

10.根据权利要求7所述的一种化学晶片的清洗方法，其特征在于：所述抽取泵(8)、循环排出泵(9)和腔体加热器(12a)工作时间为5～20分钟，其中腔体加热器(12a)的温度为40～60度。