[发明专利]一种化学晶片的清洗设备及其清洗方法

说明书

本发明公开了一种化学晶片的清洗设备，其结构包括反应部、清洗药剂混合槽和曝气管，反应部内分别通过上隔板、下隔板将其分隔成缓冲腔、载体反应腔和化学循环腔，载体反应腔内置有载体，载体反应腔的侧壁上设有腔体加热器，曝气管设置在下隔板的两侧，曝气管上开设有多个小孔，曝气管内导入有惰性气体，上隔板和下隔板均设有若干个过滤孔，过滤孔内嵌设有滤布，清洗药剂混合槽与缓冲腔之间通过抽取泵相连接，缓冲腔与化学循环腔之间设有循环排放泵、滤罐。采用上述技术方案后，通过在载体反应腔内设有载体和曝气管，即在曝气管和清洁液的作用下，载体能悬浮进而碰撞待洗晶片，能够对高附著性的表面残留污染物质，皆可有效去除，同时降低了成本。

技术领域

本发明涉及一种化学晶片的清洗设备及其清洗方法。

背景技术

现有对光学晶片表面的清洗技术具体步骤如下：

步骤1、将清洗药剂与水混合配置在反应槽内。

步骤2、开始加热或超音波装置等进行清洗。

步骤3、达到设定时间与温度等参数后，取出至QDR(快冲排槽)内以清水去除表面残留清洁药剂。

步骤4、以旋乾或烘乾方式去除水份，进而完成清洗流程。

一般清洗光学晶片多数以上述流程进行，但槽内只有清洁剂与水等液体配置，去除能力有限，且若遇较为顽固的污染物质(沾附性较强，如油脂、高分子聚合物或与表面键结力较强的反应物)就会使去除能力降低。故此，在反应槽的化学清洗能力是有优化与提升的必要。

对于光学晶片表面清洗的现存技术中，存在着以下几点不足：

1.去除能力与洗净良率仅有95～97％，尤其是油脂或高沾附性的污染物。

2.习知的超音波或震动(shake)方式去除能力有限，主因：从发震源到晶片表面的距离越长，表面清洁能力会因此而降低(空穴作用Cavitation受限于距离因素)。

3.洗净反应时间长，且多数仅有化学反应；可在物理作用下再以优化。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种化学晶片的清洗设备及其清洗方法。

为了实现本发明的上述目的，本发明提供了一种化学晶片的清洗设备，其结构包括反应部、清洗药剂混合槽和曝气管，所述反应部内部分别通过上隔板、下隔板将其分隔成缓冲腔、载体反应腔和化学循环腔，所述缓冲腔位于载体反应腔的顶部，所述化学循环腔位于载体反应腔的底部，所述载体反应腔内置有载体，所述载体反应腔的侧壁上固定连接有腔体加热器，所述下隔板上端面的中部上通过夹具固定有待洗晶片，所述曝气管的数量为2个，且分别固定连接在下隔板上端面的左右两侧上，每一所述曝气管的顶部上开设有等间隔分布的多个小孔，所述曝气管内导入有惰性气体，所述曝气管连接有用于控制气流量的调节阀，所述曝气管能够将载体悬浮进而碰撞待洗晶片，所述上隔板和下隔板上均开设有若干个过滤孔，每一所述过滤孔内均嵌设有滤布，所述清洗药剂混合槽与缓冲腔之间通过抽取泵相连接，所述抽取泵能够将清洗药剂混合槽内的清洁液抽取至缓冲腔中，所述缓冲腔与化学循环腔之间设有循环排放泵、滤罐，所述化学循环腔的一侧面上设置有出流管道，所述出流管道的另一端与循环排放泵相连接，所述缓冲腔的一侧面上设置有进流管道，该进流管道的另一端与滤罐相连接。

优选的，所述腔体加热器为电加热管，所述电加热管直接浸入在载体反应腔内，所述电加热管的外表面包覆有PFA管材。

优选的，所述腔体加热器为加热贴片，所述加热贴片固定连接在载体反应腔的外表面上。

优选的，所述惰性气体为CDA压缩空气或氮气中的一种。

优选的，所述滤布的孔径为5～20um。

优选的，所述滤罐的滤芯为0.1～0.5um。