[发明专利]一种使用闪存模拟EEPROM的方法

说明书

本发明涉及一种使用闪存模拟EEPROM的方法，包括下列步骤：提供闪存的一个或多个页面作为第一页面；提供闪存的一个或多个页面作为第二页面；将第一页面确定为工作页面，其中工作页面包括功能区，其中在所述地功能区中存放有工作页面的至少一部分的每个字节的有效状态；对工作页面的一个或多个字节进行写入；对工作页面的一个或多个有效字节进行读取，其中所述有效字节的有效状态为有效的；在工作页面写满以后格式化第二页面；以及将第二页面确定为工作页面。本发明还涉及一种存储系统。通过本发明，可以显著提高有效数据占所使用闪存量的比率，由此提高闪存的利用率。

技术领域

本发明总的来说涉及嵌入式软件领域，具体而言涉及一种使用闪存模拟EEPROM的方法。此外，本发明还涉及一种存储系统。

背景技术

在嵌入式开发中，在很多产品的场景中都使用EEPROM来存储应用中需要保存的非易失性数据。然而，目前在诸如MCU之类的主流微处理器具有较大的闪存(flash)空间，而没有EEPROM，因为如果额外地增加EEPROM器件则会显著增加产品的成本。因此，很多应用都会采用嵌入式软件的方法来使用闪存模拟EEPROM以满足产品需求。

然而，目前的闪存模拟方案所具有的局限性之一在于，有效数据的存储占所使用的全部闪存比率偏低、大约为50％，使得闪存利用率偏低。

发明内容

本发明的任务是，提供一种使用闪存模拟EEPROM的方法、以及一种存储系统，通过该方法和/或该系统，可以显著提高有效数据占所使用闪存量的比率，由此提高闪存的利用率。

在本发明的第一方面，该任务通过一种使用闪存模拟EEPROM的方法来解决，该方法包括下列步骤：

提供闪存的一个或多个页面作为第一页面；

提供闪存的一个或多个页面作为第二页面；

将第一页面确定为工作页面，其中工作页面包括功能区，其中在所述地功能区中存放有工作页面的至少一部分(例如数据存储区)的每个字节的有效状态；

对工作页面的一个或多个字节进行写入并且在对所述一个或多个字节进行成功写入以后在功能区中将所述一个或多个字节的有效状态更新为有效的；

对工作页面的一个或多个有效字节进行读取，其中所述有效字节的有效状态为有效的；

在工作页面写满以后格式化第二页面；以及

将第二页面确定为工作页面。

在本发明的一个优选方案中规定，在工作页面写满以后格式化第二页面包括下列步骤：

在功能区中确定工作页面的最后一个字节的有效状态；以及

如果该有效状态为有效的，则格式化第二页面。

通过该优选方案，可以确定所读取的内容为成功写入的内容、即有效字节。为此，功能区在初始化时全部为例如“1”，在存储区的字节被成功写入以后，与所述字节相对应的功能区被改写为例如“0”，其中在此“1”表示该字节无效，“0”表示该字节有效，或者可以用相反的表示方式。

在本发明的一个扩展方案中规定，页面的大小为2ⁿ字节，n为自然数。

在本发明的另一扩展方案中规定，功能区的最低位表示表示工作页面的第一个字节的有效状态。根据数据存储区的大小来确定功能区的大小。通过该扩展方案，可以通过检查功能区的最后一个字节或最后一位即可获悉工作页面是否已经写满，由此节省处理时间。

在本发明的又一扩展方案中规定，该方法还包括下列步骤：